| 主权项 |
1.一种反融丝(anti-fuse)之制作方法,该方法至少包含:形成第一导电层于基板之上;形成绝缘层于该第一导电层之上;执行金属栓制程形成金属栓于该绝缘层之中以连接该第一导电层,该金属栓具有表面缺陷形成于其上;形成一膜层于该钨栓之表面用以填补该缺陷;形成反融丝层于该薄膜之上;形成阻障层于该反融丝层之上;形成第二导电层于该阻障层之上;及图案化该第二导电层、该阻障层、该反融丝层及该薄膜。2.如申请专利范围第1项之方法,其中在形成上述之钨栓之前,更包含形成一黏着层。3.如申请专利范围第2项之方法,其中上述之黏着层包含氮化钛。4.如申请专利范围第1项之方法,其中在形成第二导电层之后更包含形成一抗反射层。5.如申请专利范围第4项之方法,其中上述之抗反射层包含氮化矽。6.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之反融丝层包含非晶形矽组成。7.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之薄膜包含氮化钛组成。8.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之阻障层包含氮化钛组成。9.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之第二导电层包含金属。10.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之第二导电层包含合金。11.一种反融丝(anti-fuse)之制作方法,该方法至少包含:形成第一导电层于基板之上;形成绝缘层于该第一导电层之上;执行金属栓制程形成钨栓于该绝缘层之中以连接该第一导电层,该钨栓具有表面缺陷形成于其上;形成第一氮化钛层于该钨栓之表面用以填补该缺陷;形成非晶型矽作为反融丝层于该第一氮化钛层之上;形成第二氮化钛于该反融丝层之上;形成第二导电层于该第二氮化钛层之上;及图案化该第二导电层、该第二氮化钛层、该反融丝层及该第一氮化钛层。12.如申请专利范围第11项之方法,其中在形成第二导电层之后更包含形成一抗反射层。13.如申请专利范围第12项之方法,其中上述之抗反射层包含氮化矽。14.如申请专利范围第11项之方法,其中上述之第二导电层包含金属。15.如申请专利范围第11项之方法,其中上述之第二导电层包含合金。图式简单说明:第一图为传统技术形成钨栓之截面图。第二图A以及第二图B为传统技术造成钨栓缺陷之截面图。第三图为传统技术形成反融丝矽层与氮化钛之截面图。第四图为本发明之形成窗孔之截面图。第五图A及第五图B为本发明之形成钨栓与填充薄膜之截面图。第六图为本发明之形成反融丝膜层之截面图。第七图为本发明之形成金属图案之截面图。 |
