| 主权项 |
1.一种制备式(VI)化合物之方法:(VI)其包含将式(I)化合物:(I)用磷醯化剂磷醯化,以制造如式(II)之经保护4'-去甲基-4-表鬼臼毒素-4'-磷酸酯:(II)(其中R3为磷酸芳甲基酯之保护基),令该式(II)化合物于存在路易士酸下,与如式(III)之被保护糖反应,(III)以产生如式(IV)之化合物,其中R1为芳甲基,做为羟基保护基;(IV)将式(IV)之C-1"-形式分离;移除羟基及磷酸酯保护基以产生式(V)化合物;(V)将该式(V)化合物用磷酸酯处理,以产生式(VI)化合物。2.根据申请专利范围第1项之方法,其尚包含令该式(I)酚与亚磷酸二(芳甲基)酯,四卤甲烷,第三胺及醯化触媒在溶剂中反应,生成如式(II)之被保护磷酸酯。3.根据申请专利范围第2项之方法,其中该亚磷酸二(芳甲基)酯为磷酸二酯。4.根据申请专利范围第2项之方法,其中该四卤甲烷为CCl4,该三级胺为N,N'-二异丙基乙胺,以及该醯化触媒为N,N-二甲胺啶。5.根据申请专利范围第1项之方法,其中R1与R3为相同或相异且为基。6.根据申请专利范围第1项之方法,其包含令式(II)化合物与化合物(III)在卤化或非卤化溶剂中反应。7.根据申请专利范围第6项之方法,其中该非卤化溶剂为乙。8.根据申请专利范围第1项之方法,该分离式(IV)C-1"-异构体之步骤包含将该式(IV)化合物溶于醇,将该式(IV)化合物再结晶,以形成大致为式(IV)之纯C-1"-型式之沈淀物,然后回收该沈淀物。9.根据申请专利范围第1项之方法,其中该分离化合物(IV)之C-1"-异构物之步骤包含令化合物(II)与化合物(III)在反应介质中反应,将醇直接加到该反应介质中并让化合物(IV)之该C-1"-异构体结晶,以及分离出大致为化合物(IV)之纯C-1"-异构体之结晶。10.一种制备式(V)化合物之方法:(V)其包含令式(IIIb)化合物:(IIIb)(其中R1为芳甲基以做为羟基保护基以及R2为芳甲基,或者二个R2基联合形成C1-5亚烷基)与式(II)化合物:(II)(其中R3为芳甲基以及R1,R2及R3相同或相异)于存在路易士酸下在反应介质中反应,以生成式(IVb)化合物:(IVb)令化合物(IVb)之C-1"-形式结晶,继而移除羟基及磷酸酯基之保护基,在R2为芳甲基之情况,令化合物(IVb)与具有1至5个碳原子之羟基或其对等缩醛反应。11.根据申请专利范围第10项之方法,其中R1及R3为相同或相异且为基。12.根据申请专利范围第10项之方法,其中该羟基及磷酸酯保护基被同时移除。13.根据申请专利范围第10项之方法,其中该羟基及磷酸酯保护基藉于存在贵金属触媒及室温下氢化而被同时移除。14.根据申请专利范围第13项之方法,其中该贵金属触媒为钯。15.根据申请专利范围第10项之方法,其中该二R2基为亚乙基以及在移除该保护基之前,该结晶步骤包含回收该式(IVb)化合物,将该式(IVb)化合物溶于溶剂,加入有效量的醇以沈淀出化合物(IVb)之C-1"-形式及回收该C-1"-异构体。16.根据申请专利范围第15项之方法,其中该醇为甲醇。17.根据申请专利范围第10项之方法,其中二R2基形成亚乙基以及该结晶步骤包括将醇直接加到该反应混合物中以使化合物(IVb)之该C-1"-异构体结晶化,然后分离出大致为化合物(IVb)之纯C-1"-异构体之结晶。18.根据申请专利范围第17项之方法,其中该醇为甲醇。19.根据申请专利范围第10项之方法,其中该路易士酸为三氟化硼乙醚化物。20.根据申请专利范围第10项之方法,其包含令化合物(II)与化合物(IIIb)在卤化或非卤化溶剂中反应。21.根据申请专利范围第20项之方法,其中该溶剂为乙。22.根据申请专利范围第21项之方法,其中该溶剂含有有效量之金属过氯酸盐,以增加溶剂之离子强度。23.根据申请专利范围第10项之方法,其尚包含制备该式(II)化合物,其包括令式(I)酚:(I)与磷酸二(芳甲基)酯,四卤甲烷,三烷胺及醯化触媒反应,以形成如式(II)之被保护磷酸酯。24.根据申请专利范围第10项之方法,其中该反应于约室温至-40℃下进行。25.根据申请专利范围第10项之方法,其中二R2基形成亚乙基,以及在化合物(IIIb)与化Q合物(IVb)反应之前,尚包含令该化合物(IIIb)于室温下自溶剂中结晶,回收化合物(IIIb)之大致纯的C-1-形式,继而令化合物(IIIb)之该C-1-形式与化合物(IV)反应。26.根据申请专利范围第23项之方法,包含自己烷再结晶化合物(IIIb)。27.根据申请专利范围第10项之方法,其中二R2基形成亚乙基,以及当化合物(III)与化合物(II)反应之前,该法包含让该混合物有充足的时间异构化成C-1-异构体。28.一种具有式(IlIb)之化合物:(IIIb)其中R1为基及二R2联合系C1-5亚烷基。29.根据申请专利范围第28项之化合物,其中二R2基联合形成亚乙基,藉此该化合物具有式(III)(Ⅲ)其中R1为基。30.一种具有式(IV)之化合物:(Ⅳ)其中R1为基以做为羟基保护基,以及R3为基以做为磷酸酯保护基。31.一种制备式(IVa)之C-1"-异构体之方法:(IVa)()该法包含在溶剂中形成式(IV)化合物之异构体混合物之溶液(IV)(其中R1及R3为芳甲基,其可相同或相异),令该C-1"-异构体在该溶液中结晶及回收大致为式(IVa)之纯C-1"-异构体之结晶。32.根据申请专利范围第31项之方法,其中该溶剂为乙。33.根据申请专利范围第31项之方法,其中该溶剂为醇,以及该法包含将该醇加热以溶解该异构体混合物,然后冷却该溶液以使该式(IVa)之C-1"-异构体结晶。34.根据申请专利范围第31项之方法,其包含将醇直接加到该溶液中且其量能使式(IVa)之C-1"-异构体结晶。35.根据申请专利范围第34项之方法,其中该醇为甲醇。36.一种制备式(VI)化合物之方法:(VI)其包含令式(V)化合物:(V)在缓冲溶液中与磷酸酯反应以藉解反应移除磷酸酯基,及回收该式(VI)化合物。37.根据申请专利范围第36项之方法,其中该反应在pH値约为5-12之缓冲溶液中进行。38.根据申请专利范围第36项之方法,其中该为酸性或硷性磷酸。39.根据申请专利范围第36项之方法,其中该在pH値约为6-9下具有磷酸酯活性。40.一种制备式(II)化合物之方法:(II)(其中R3为芳甲基),该法包含令式(1)酚:(I)与亚磷酸二(芳甲基)酯,四卤甲烷,三级胺及醯化触媒反应,以形成如式(II)之被保护磷酸酯。41.根据申请专利范围第40项之方法,其中该反应在室温至约-40℃下进行。42.根据申请专利范围第40项之方法,其中该亚磷酸二(芳甲基)酯为亚磷酸二酯。43.根据申请专利范围第40项之方法,其中该溶解为乙。44.根据申请专利范围第40项之方法,其中氯磷酸二酯于原地制造以及该法于实质未加入氯磷酸二酯下进行。45.根据申请专利范围第40项之方法,其中该四卤甲烷以试剂量存在。46.根据申请专利范围第40项之方法,其中该四卤甲烷为CCl4,该三级胺为N,N'-二异丙基乙胺,以及该醯化触媒为N,N-二甲胺基啶。 |
