| 主权项 |
1.一种用来位于半导体晶片(1)上之第一连接点(4)及位于一基质(2)或第二半导体晶片上之第二连接点(5)间产生电线连接的方法;藉此一电线(3)贯穿一可水平及垂直移动的毛细管(12),其不仅用来附加该电线至两连接点(4,5),亦充作位于其间的电线之导引;藉此在附加该电线(3)至第一连接点(4)之后,该毛细管(12)系沿着一预定的抛物线(s1,s2)加以移动至第二连接点(5),于抛物线上所需的电线长度系被抽出而该电线(3)系被形成一种桥接;且藉此该毛细管(12)藉由在终端部份(s3)上添加一可变的水平移动(vh)至毛细管(12)之向下移动(vv)以在毛细管抛物之终端区段(s3)基质(2)上之电线回路(6),可变之水平移动系往离开第一连接点(4)之方向,并对于向下移动而言保持续地减小。2.如申请专利范围第1项之方法,其毛细管抛物线之终端区段(s3)在高于基质(2)上之一预定高度(H)处开始,位于毛细管(12)之下的电线回路(6)于此尚未接触或分别地仅是刚接触基质(2)或第二半导体晶片。3.如申请专利范围第1项之方法,其毛细管抛物线之终端区段(s3)始于略为等于向下移动(vv)之毛细管(12)之一水平移动(vh)。4.如申请专利范围第2项之方法,其毛细管抛物线之终端区段(s3)始于略为等于向下移动(vv)之毛细管(12)之一水平移动(vh)。5.如申请专利范围第1至4项中任一项之方法,其水平移动(vh)在朝向终端区段(s3)之端点时系几乎或完全地降低至零。图式简单说明:第一图系为用于执行该制程之一种普遍地为人所知的配置的简化平面示图;第二图系显示了如第一图从侧面且大大地加以放大之该配置的部份;第三图,第四图及第五图以一种更为放大的比例显示了在三个连续阶段内该毛细管对于第二连接点之趋近方式;第六图系对应于第五图(稍大地加以绘制)具备受成型,连接电线端之第二连接点之平面示图;以及第七图举例说明了于对于终端阶段之转换区域内之该抛物线的一种变形。 |
