| 主权项 |
1.一种半导体装置的制造方法,包含:提供一个底部基板;形成一受到蚀刻且于其底部基板上含有氮原子的复合薄膜,其氮原子的组成比在接近该复合薄膜的上表面远小于在复合薄膜其他部份的氮原子组成比;形成化学放大光阻薄膜于该复合薄膜上;依据特定图形选择性地曝光该化学放大光阻薄膜;显影该曝光的化学放大光阻薄膜;以该化学放大光阻薄膜图形化作为保护罩蚀刻至少该复合薄膜。2.如申请专利范围第1项之半导体装置的制造方法,其中该复合薄膜在一个制程中连续形成。3.如申请专利范围第1项之半导体装置的制造方法,其中在该复合薄膜的形成过程中,该复合薄膜是在该复合薄膜的最后形成阶段不通入氮原子到该复合薄膜的情形下形成。4.如申请专利范围第1项之半导体装置的制造方法,其中在该复合薄膜的形成过程中,是在该复合薄膜的最后形成阶段于薄膜形成环境中不含氮气源的情形下形成该复合薄膜。5.如申请专利范围第1项之半导体装置的制造方法,其中在该复合薄膜的形成过程中,系由形成该复合薄膜的开始阶段到形成该复合薄膜的最后阶段以逐渐降低通入氮原子到该复合薄膜的量之方式来形成该复合薄膜。6.如申请专利范围第1项之半导体装置的制造方法,其中在该复合薄膜的形成过程中,在形成该复合薄膜的开始阶段到该复合薄膜的最后形成阶段是以逐渐降低通入氮气源到薄膜形成环境中的量之方式来形成该复合薄膜。7.如申请专利范围第1项之半导体装置的制造方法,其中在该复合薄膜的形成过程中,系以通入预定量的氮原子到该复合薄膜并在该复合薄膜的最后形成阶段停止通入该氮原子到该复合薄膜的方式来形成该复合薄膜。8.如申请专利范围第1项之半导体装置的制造方法,其中在该复合薄膜的形成过程中,系以通入预定量之氮原子到一薄膜形成环境并在该复合薄膜的最后形成阶段停止通入该氮原子到薄膜形成环境中的方式来形成该复合薄膜。9.如申请专利范围第1项之半导体装置的制造方法,其中该底部基板具有一层金属材料的薄膜区域,该复合薄膜被形成在该金属材料薄膜区域上。10.如申请专利范围第1项之半导体装置的制造方法,其中该复合薄膜具有一层氮化钛薄膜区域。11.如申请专利范围第10项之半导体装置的制造方法,其中接近该复合薄膜上表面的区域具有一层实质上不含氮原子的钛薄膜区域。12.如申请专利范围第1项之半导体装置的制造方法,其中该复合薄膜具有一层氮化矽薄膜区域。13.如申请专利范围第12项之半导体装置的制造方法,其中接近该复合薄膜上表面的区域具有一层实质上不含氮原子的矽薄膜区域。14.如申请专利范围第1项之半导体装置的制造方法,其中该复合薄膜具有一层氧氮化矽薄膜区域。15.如申请专利范围第14项之半导体装置的制造方法,其中接近该复合薄膜上表面的区域具有一层实质上不含氮原子的氧化矽薄膜区域。16.如申请专利范围第1项之半导体装置的制造方法,其中该方法更包含在形成该复合薄膜之后于氧化环境中热处理该复合薄膜的步骤,该化学放大光阻被薄膜形成在以该热处理方式热处理过的该复合薄膜。17.如申请专利范围第1项之半导体装置的制造方法,其中,在该复合薄膜的形成过程中,于形成复合薄膜的最后阶段通入氧气源到薄膜形成环境中。图式简单说明:第一图A到第一图C是表示一种形成根据本发明实施例的被蚀刻并含有氮原子复合薄膜方法的半导体装置基板的部份横剖面图。第二图是表示在薄膜形成制程中由TiN薄膜到Ti薄膜的复合薄膜中氮组成比逐渐降低或是阶梯式降低的特征范例。第三图是表示本发明第二实施例的半导体装置基板的示意部份横剖面图。第四图是表示本发明第三实施例的半导体装置基板的示意部份横剖面图。第五图是表示本发明第四实施例的半导体装置基板的示意部份横剖面图。第六图是表示本发明第五实施例的半导体装置基板的示意部份横剖面图。 |
