| 主权项 |
1.一种适用于混合式光罩之光学邻近效应修正法,其中该混合式光罩具有一相移式图形,以及一二元式图形,该混合式光罩可利用一光源进行微影制程,该方法包括:提供一原始图案;提供一二元式光学邻近效应修正曲线和一相移式光学邻近效应修正曲线,其中该二元式光学邻近效应修正曲线和该相移式光学邻近效应修正曲线系用以表示光罩布局关键尺寸和晶片关键尺寸之关系;将该二元式光学邻近效应修正曲线和该相移式光学邻近效应修正曲线结合,产生一混合式曲线,其中结合的方式包括:截取该相移式光学邻近效应修正曲线在该布局关键尺寸小于一特定値之部份;以及截取该二元式光学邻近效应修正曲线大于该特定値之部份;以及使用该混合式曲线对该原始图形进行光学邻近效应修正,以得到该相移式图案和该二元式图案。2.如申请专利范围第1项所述之适用于混合式光罩之光学邻近效应修正法,其中该特定値为该光源波长之1.0-2.0倍。3.如申请专利范围第1项所述之适用于混合式光罩之光学邻近效应修正法,其中该特定値约为2.5-4微米。4.如申请专利范围第1项所述之适用于混合式光罩之光学邻近效应修正法,其中使用该混合式曲线对该原始图形进行修正方法包括:将该原始图案上之晶片关键尺寸代入该混合式曲线,以求得对应之光罩布局关键尺寸。5.如申请专利范围第4项所述之适用于混合式光罩之光学邻近效应修正法,其中当该原始图案上之晶片关键尺寸等于该特定値时,伐入该二元式光学邻近效应修正曲线以求得对应之光罩布局关键尺寸。6.如申请专利范围第4项所述之适用于混合式光罩之光学邻近效应修正法,其中当该原始图案上之晶片关键尺寸等于该特定値时,伐入该相移式光学邻近效应修正曲线以求得对应之光罩布局关键尺寸。7.如申请专利范围第1项所述之适用于混合式光罩之光学邻近效应修正法,其中该相移式图案系形成于该混合式光罩上元件布局关键尺寸小于该特定値之区域,且该二元式图案系形成于该混合式光罩上元件布局关键尺寸大于该特定値之区域。8.一种适用于混合式光罩之光学邻近效应修正法,该混合式光罩具有一二元式图案和一相移式图案,该混合式光罩可移用一光源进行微影制程,该方法包括:提供一原始图案资料;提供具有一二元式光学邻近效应修正曲线和一相移式光学邻近效应修正曲线之一资料库,其中该二元式光学邻近效应修正曲线和该相移式光学邻近效应修正曲线系用以表示光罩布局关键尺寸和晶片关键尺寸之关系;提供一特定値;以该特定値与该原始图案资料之关键尺寸比较;以该二元式光学邻近效应修正曲线校正该些原始图案资料中关键尺寸大于该特定値之部份,以得到该二元式图案;以及以该相移式光学邻近效应修正曲线校正该原始图案资料中关键尺寸小于该特定値之部份,以得到该相移图形。9.如申请专利范围第8项所述之光学邻近效应修正法,其中该特定値约为该光源波长之1-2.0倍。10.如申请专利范围第8项所述之光学邻近效应修正法,其中该特定値约为0.25-0.4微米。11.如申请专利范围第8项所述之适用于混合式光罩之光学邻近效应修正法,其中更包括以该二元式光学邻近效应修正曲线校正该些原始图案资料中关键尺寸等于该特定値之部份。12.如申请专利范围第8项所述之适用于混合式光罩之光学邻近效应修正法,其中更包括以该相移式光学邻近效应修正曲线校正该些原始图案资料中关键尺寸等于该特定値之部份。13.如申请范围第1项所述之适用于混合式光罩之光学邻近效应修正法,其中该相移式图案系形成于该混合式光罩上元件布局关键尺寸小于该特定値之区域,且该二元式图案系形成于该混合式光罩上元件布局关键尺寸大于该特定値之区域。14.一种混合式光罩,可利用一光源进行微影制程,该混合式光罩,包括:一相移式图案,形成于该混合式光罩上元件布局关键尺寸小于一特定値之区域;以及一二元式图案形成于该光罩上元件布局关键尺寸大于该特定値之区域。15.如申请专利范围第14项所述之混合光罩,其中该特定値约为该光源波长之1.0-2.0倍。16.如申请专利范围第14项所述之混合光罩,其中该特定値约为0.25-0.4微米。图式简单说明:第一图为依光罩上图案的布局关键尺寸与其对应到晶片上实际得到图案的晶片关键尺寸之关系图;以及第二图根据本发明,一种适用于混合式光罩之光学邻近效应修正法之模型。 |
