| 主权项 |
1.一种金属矽化物的制造方法,包括:提供已形成一闸氧化层之一基底;在该闸氧化层上形成一复晶矽层;在该复晶矽层上形成一磊晶矽层;利用湿式蚀刻法蚀刻该磊晶矽层,以形成一具粗糙表面之多孔性矽层;以及在该多孔性矽层上形成一金属矽化物层。2.如申请专利范围第1项所述之金属矽化物之制造方法,其中该多孔性矽层之形成方法包括利用阳极湿式蚀刻法对该磊晶矽层表面进行腐蚀。3.如申请专利范围第1项所述之金属矽化物之制造方法,其中该多孔性矽层之形成方法包括利用浸泡湿式蚀刻法对该磊晶矽层表面进行腐蚀。4.如申请专利范围第1项所述之金属矽化物之制造方法,其中该金属矽化物之形成方法包括:形成一金属层至少覆盖该多孔性矽层;进行一快速加热制程,使部份该金属层与该多孔性矽层之矽成份反应,以形成该金属矽化物层;以及去除末反应之该金属层。5.如申请专利范围第1项所述之金属矽化物之制造方法,其中在形成该复晶矽层之后,形成该磊晶矽层之前,更包括下列步骤:定义该复晶矽层和该闸氧化层以形成一闸极;以该闸极为罩幕掺杂该基底,以在该基底中形成一轻掺杂源极/汲极区;在该闸极侧壁上形成一间隙壁;以该闸极和该间隙壁为罩幕对该基底进行掺杂,以形成一重掺杂源极/汲极区,而该轻掺杂源极/汲极区与该重掺杂源极/汲极区共同组成一源极/汲极区。6.如申请专利范围第1项所述之金属矽化物之制造方法,其中该金属层包括钛。7.如申请专利范围第1项所述之金属矽化物之制造方法,其中该金属矽化物层包括矽化钛。8.一种金属矽化物的制造方法,包括:提供一基底;在该基底上形成一闸极,其中该闸极包括一闸氧化层和一复晶矽层;以该闸极为罩幕掺杂该基底,以在该基底中形成一轻掺杂源极/汲极区;在该闸极侧壁上形成一间隙壁;以该闸极和该间隙壁为罩幕对该基底进行掺杂,以形成一重掺杂源极/汲极区,而该轻掺杂源极/汲极区与该重掺杂源极/汲极区共同组成一源极/汲极区;在该闸极与该源极汲极区表面形成一磊晶矽层;蚀刻该磊晶矽层表面,以在其表面形成一具粗糙表面之多孔性矽层;以及在该多孔性矽层上形成一金属矽化物层。9.如申请专利范围第8项所述之金属矽化物之制造方法,其中该多孔性矽层之形成方法包括利用阳极湿式蚀刻法对该磊晶矽层表面进行腐蚀。10.如申请专利范围第8项所述之金属矽化物之制造方法,其中该多孔性矽层之形成方法包括利用浸泡湿式蚀刻法对该磊晶矽层表面进行腐蚀。11.如申请专利范围第8项所述之金属矽化物之制造方法,其中该金属矽化物之形成方法包括:形成一金属层至少覆盖该多孔性矽层;进行一快速加热制程,使部份该金属层与该多孔性矽层之矽成份反应,以在该闸极与该源极/汲极区上形成该金属矽化物层;以及去除未反应之该金属层。12.如申请专利范围第1项所述之金属矽化物之制造方法,其中该金属层包括钛。13.如申请专利范围第1项所述之金属矽化物之制造方法,其中该金属矽化物层包括矽化钛。14.一种多孔性矽层的制造方法,包括:提供一基底;在该基底上形成一复晶矽层;在该复晶矽层上形成一磊晶矽层;以及利用湿式蚀刻法蚀刻该磊晶矽层,以形成一具粗糙表面之多孔性矽层。15.如申请专利范围第14项所述之制造方法,其中该多孔性矽层之形成方法包括利用阳极湿式蚀刻法对该磊晶矽层表面进行腐蚀。16.如申请专利范围第14项所述之制造方法,其中该多孔性矽层之形成方法包括利用浸泡湿式蚀刻法对该磊晶矽层表面进行腐蚀。图式简单说明:第一图A至第一图D为习知一种自对准金属矽化物制程剖面示意图;以及第二图A至第二图F系绘示依照本发明一较佳实施例,一种金氧半电晶体之自动对准金属矽化物制造流程剖面图。 |
