| 主权项 |
1.一种用以制造一积体电路之方法,其系包含:(a)当以一第一方向移动该基材(例如,200)的时候,将一基材(例如,200)暴露于一能源(例如,110),该基材系以一聚焦深度暴露;及(b)当以不同于该第一方向之一第二方向移动该基材的时候,在暴露过程中改变该聚焦深度。2.如申请专利范围第1项之方法,其系进一步包含在一级(例如,170)上放置该基材(例如,200);及藉由移动该级(例如,170)而以该第二方向移动该基材(例如,200)。3.如申请专利范围第1项之方法,其系进一步包含振荡该聚焦深度。4.如申请专利范围第3项之方法,其系进一步包含振荡在一第一DOF及一第二DOF之间的该聚焦深度(DOF)。5.如申请专利范围第3项之方法,其系进一步包含根据一正弦波而振荡该聚焦深度。6.如申请专利范围第3项之方法,其系进一步包含根据一周期波形而振荡该聚焦深度。7.如申请专利范围第1项之方法,其系进一步包含在频率f振荡该聚焦深度,其中:f=n 及Tn是除了零之外的整数値,而且T是在聚焦的一第一深度与聚焦的一第二深度之间振荡该聚焦深度的一时间周期。8.如申请专利范围第7项之方法,其系进一步包含:使用一暴露场(例如,160)将该基材(例如,200)暴露;及在周期T过程中,将在基材(例如,200)上的位置从该暴露场(例如,160)的一端移至该暴露场的另一端。9.如申请专利范围第1项之方法,其系进一步包含从一最初的DOF经由一第一DOF及一第二DOF而回到该最初的DOF的振荡聚焦深度(DOF),其中该第一DOF是一最大的DOF,该第二DOF是最小的DOF,而且该最初的DOF是在该第一DOF与该第二DOF之间。10.一种用以制造一积体电路之方法,其系包含:(a)提供一基材(例如,200),该基材具有一影像场(例如,300);(b)产生一暴露场;(c)在暴露场下,在一聚焦深度以一第一方向移动该影像场(例如,300);及(d)以一第二方向移动该影像场(例如,300),以便将该聚焦深度从一第一聚焦深度改变成一第二聚焦深度,该第一方向系不同于该第二方向。11.如申请专利范围第10项之方法,其中该等步骤(c)与(d)系以实质相同的时间执行。12.如申请专利范围第10项之方法,其中该暴露场具有一第一边缘及一第二边缘,而且该处理系进一步包含:在周期T期间,在暴露场下以第一方向将该影像场(例如,300)从该第一边缘移至该第二边缘;及在周期T期间,在聚焦深度的一最大及一最小深度之间振荡该聚焦深度。13.一种影像系统,其系包含:一能源(例如,110);一影像元件(例如,130或140);一基材转换级(例如,170);及一控制器(例如,190):(a)造成该基材转换级以相对于一第一方向的影像元件移动,该基材转换级与该影像元件具与彼此有关的一聚焦深度,及(b)藉由移动该基材转换级而造成该聚焦深度改变,以便以不同于该第一方向的一第二方向将该影像元件移动。14.如申请专利范围第13项之影像系统,其中该影像元件系一透镜(例如,140)及一主光罩(例如,130)之其中一者。15.如申请专利范围第13项之影像系统,其中该控制器(例如,190)可造成该基材转换级(例如,170)使用振荡方式而以该第二方向移动。16.如申请专利范围第15项之影像系统,其中该基材转换级(例如,170)系根据一正弦波而振荡。17.如申请专利范围第15项之影像系统,其中该基材转换级(例如,170)系根据一周期波形而振荡。图式简单说明:第一图系根据本发明的一具体实施例而显示一扫描系统图式;第二图是第一图的扫描系统上视图;第三图a-第三图f是在连续操作级过程中的第一图扫描系统上视图;及第四图系描述与第一图的扫描系统线网有关的基材转换级运动波形图。 |
