| 主权项 |
1.一种冠状电容器的制造方法,包括:提供一基底;于该基底上形成一介电层、一终止层、与一第一材料层;于该介电层、该终止层与该第一材料层中形成一接触窗插塞;于该基底上形成一第一掺杂非晶矽层、与一第二材料层;定义该第二材料层与该第一掺杂非晶矽层之图案,以使图案化之该第二材料层与该第一掺杂非晶矽层具有一开口,该开口裸露出该接触窗插塞与部分该第一材料层;在该开口之表面以及该开口延伸之该第二材料层表面之处形成一第二掺杂非晶矽层,并于该图案化之该第二材料层与该第一掺杂非晶矽层之侧壁形成一掺杂非晶矽间隙壁;去除该第二材料层与该第一材料层,以裸露出该第一掺杂非晶矽层、该第二掺杂非晶矽层、该掺杂间隙壁与部分该接触窗插塞,以用以架构该冠状电容器之一下电极之主体结构;去除该终止层;于该下电极之主体结构的表面形成一电容介电层;以及于该基底上形成一导体层以用以制作一上电极。2.如申请专利范围第1项所述之冠状电容器的制造方法,其中在该形成该电容介电层之前更包括进行一化学乾式蚀刻制程,以使该下电极之主体结构的顶角圆弧化。3.如申请专利范围第2项所述之冠状电容器的制造方法,其中进行该化学乾式蚀刻制程之后,该形成该电容介电层之前更包括于该下电极之主体结构的表面形成一选择性半球状多晶粒层。4.如申请专利范围第1项所述之冠状电容器的制造方法,在形成该电容介电层之前更包括于该下电极之主体结构的表面形成一选择性半球状多晶粒。5.如申请专利范围第1项所述之冠状电容器的制造方法,其中该第一材料层与该终止层具有不同的蚀刻率。6.如申请专利范围第1项所述之冠状电容器的制造方法,其中该第二材料层与该第一材料层具有相似之蚀刻率,但与该终止层具有不同的蚀刻率。7.如申请专利范围第1项所述之冠状电容器的制造方法,其中该第二材料层与该终止层具有不同之蚀刻率。8.如申请专利范围第1项所述之冠状电容器的制造方法,其中去除该第一材料层与该第二材料层之步骤系同时以一蚀刻制程执行。9.如申请专利范围第1项所述之冠状电容器的制造方法,其中去除该第二材料层与该第一材料层的方法包括一湿式蚀刻制程。10.如申请专利范围第1项所述之冠状电容器的制造方法,其中去除该终止层之方法包括湿式蚀刻法。11.一种冠状电容器的制造方法,包括:提供一基底;于该基底上形成一介电层、一终止层与一第一材料层;于该介电层、该终止层与该第一材料层中形成一接触窗插塞;于该基底上形成一第一掺杂非晶矽层与一第二材料层;定义该第二材料层与该第一掺杂非晶矽层之图案,以使图案化之该第二材料层与该第一掺杂非晶矽层具有一开口,该开口裸露出该接触窗插塞与部分该第一材料层;于该基底上共形地形成一第二掺杂非晶矽层;于该基底上形成一光阻层,该光阻层覆盖该开口与部分该图案化之第二材料层表面上所覆盖之该第二掺杂非晶矽层;以非等向性蚀刻制程去除未被该光阻层所覆盖之部分该第二掺杂非晶矽层,以留下该光阻层所覆盖之该第二掺杂非晶矽层以及留下位于该第二材料层与该第一掺杂非晶矽层侧壁之该第二掺杂非晶矽层;以湿式蚀刻法去除该第二材料层与该第一材料层,以裸露出剩余之该第一掺杂非晶矽层、该第二掺杂非晶矽层与部分该接触窗插塞,以用以架构该冠状电容器之一下电极之主体结构;以化学乾式蚀刻法使该下电极之主体结构的顶角圆弧化;以湿式蚀刻法去除该终止层;于该下电极之主体结构的表面上形成一半球状多晶粒层,以形成一下电极;于该下电极的表面上形成一电容介电层;以及于该基底上形成一导体层以用以制作一上电极。12.如申请专利范围第11项所述之冠状电容器的制造方法,其中该第一材料层与该终止层具有不同的蚀刻率。13.如申请专利范围第11项所述之冠状电容器的制造方法,其中该第二材料层与该第一材料层具有相似之蚀刻率,但与该终止层具有不同的蚀刻率。14.如申请专利范围第11项所述之冠状电容器的制造方法,其中该第二材料层与该终止层具有不同之蚀刻率。15.如申请专利范围第11项所述之冠状电容器的制造方法,其中该以非等向性蚀刻制程去除未被该光阻层所覆盖之部分该第二掺杂非晶矽层的方法包括反应性离子蚀刻法。图式简单说明:第一图A至第一图E系绘示传统双边冠状结构电容器之制造流程的结构剖面示意图;以及第二图A至第二图F系绘示依据本发明之一种双边多重冠状结构电容器之制造流程的结构剖面示意图。 |
