| 主权项 |
1.一种形成具有双重起始电压电路于一半导体基材的方法,该基材具有一第一区域、一第二区域、及一第三区域,该第一区域、该第二区域、及该第三区域之间具有隔离区域,该方法至少包含以下步骤:掺杂第一型离子至该第一区域、该第二区域、及该第三区域;及掺杂第二型离子至该第一区域及该第二区域,该第二型离子与该第一型离子为用以于基材内产生相异型电性之离子,其中上述之第一区域系为P型金氧半场效电晶体区,上述之第二区域系为低起始电压之N型金氧半场效电晶体区,上述之第三区域系为高起始电压之N型金氧半场效电晶体区。2.如申请专利范围第1项之方法,更包含于该第二型离子掺杂后,形成电晶体于该第一区域、该第二区域、及该第三区域上。3.如申请专利范围第1项之方法,其中于掺杂该第二型离子时,系使用一覆盖层于该第三区域上以防止离子之进入。4.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之覆盖层至少包含一光阻层。5.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之第一型离子之植入能量约为5KeV至150KeV之间。6.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之第一型离子至少包含含硼之离子或是BF2离子。7.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之第一型离子之植入剂量约为1E11atoms/cm2至1E14atoms/cm2之间。8.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之第二型离子之植入能量约为20KeV至200KeV之间。9.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之第二型离子至少包含含磷之离子。10.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之第二型离子之植入剂量约为1E12atoms/cm2至5E14atoms/cm2之间。图式简单说明:第一图显示本发明之半导体基材,具有第一区域、第二区域、及第三区域的截面示意图。第二图显示本发明掺杂第一型离子至第一区域、第二区域、及第三区域内的截面示意图。第三图显示本发明掺杂第二型离子至第一区域及第二区域内之截面示意图。第四图显示本发明中分别形成电晶体于第一区域、第二区域、及第三区域上之截面示意图。 |
