| 主权项 |
1.一种去除一半导体晶片上之光阻层的方法,该半导体晶片包含有一金属间介电层(inter-metaldielectric layer),以及一光阻层,设于该金属介电层上,该方法包含有:进行一乾清洗(dry clean)制程,在无氧的环境下,通入一含氮之气体作为反应气体,利用电浆化学反应大略地去除该光阻层;以及进行一湿清洗(wet clean)制程以完全的去除该光阻层。2.如申请专利范围第1项之方法,其中该含氮之气体为氮气(N2)或氨气(NH3)。3.如申请专利范围第1项之方法,其中该乾清洗制程另通入有氢气(H2)或氩气(Ar)作为反应气体。4.如申请专利范围第1项之方法,其中该金属间介电层包含有一阻绝层(barrierlayer),一低介电常数层(low k layer)设于该阻绝层之上,以及一覆盖层(cap layer)设于该低介电常数层上,其中该低介电常数层之介电常数(dielectric constant)系小于该阻绝层及该覆盖层之介电常数。5.如申请专利范围第4项之方法,其中该阻绝层系以氮化矽(SiN)、氮氧化矽(SiON)或碳化矽(SiC)所构成。6.如申请专利范围第4项之方法,其中该覆盖层系以氧化矽(SiO)、氮化矽、氮氧化矽或碳化矽所构成。7.如申请专利范围第4项之方法,其中该低介电常数层系以含有高氟浓度之矽玻璃(fluorine-rich silicate g1ass)所构成。8.如申请专利范围第1项之方法,其中该光阻层及该金属介电层均系设于该半导体晶片之一预定区域上,而该预定区域外围之该金属介电层系被已去除至一预定深度。图式简单说明:第一图为习知形成于半导体晶片表面之一接触洞的示意图第二图至第四图为使用本发明去除光阻层的方法于一半导体晶片上形成一接触洞的方法的示意图。 |
