| 主权项 |
1.一种自动对准节点接触窗的制造方法:提供经过前处理的一半导体晶圆,该晶圆具有一第一介电层沉积在该半导体晶圆表面;在该第一介电层上形成复数条导电层线,该些导电层线侧边具有一氮化矽间隙壁;在该些导电层线上依序形成一第二介电层与一硬材料层;定义该硬材料层与该第二介电层,以该氮化矽间隙壁为终点,在该第二介电层形成一开口,暴露出该第二介电层侧壁、该氮化矽间隙壁与部分该第一介电层;在该第二介电层侧壁形成一复晶矽间隙壁;以及自动对准该复晶矽间隙壁,定义该第一介电层,形成一节点接触窗,暴露出该晶圆。2.如申请专利范围第1项所述之自动对准节点接触窗之制造方法,其中经过前处理之该半导体晶圆包括有复数个CMOS元件与复数个源/汲极区。3.如申请专利范围第1项所述之自动对准节点接触窗之制造方法,其中该经过前处理之半导体晶圆具有复数个主动区与复数个字元线。4.如申请专利范围第1项所述之自动对准节点接触窗之制造方法,其中该硬材料层包括氮化矽。5.如申请专利范围第1项所述之自动对准节点接触窗之制造方法,在该第二介电层侧壁形成一复晶矽间隙壁更包括在该第二介电层与该开口形成一复晶矽层;以及以该硬材料层为蚀刻终点,回蚀刻该复晶矽层,在该第二介电层侧壁形成该复晶矽间隙壁。6.如申请专利范围第1项所述之自动对准节点接触窗之制造方法,自动对准该复晶矽间隙壁定义该第一介电层,系以该硬材料层与该复晶矽间隙壁为罩幕。7.如申请专利范围第1项所述之自动对准节点接触窗之制造方法,其中该第一介电层包括氧化物层。8.如申请专利范围第1项所述之自动对准节点接触窗之制造方法,其中该第二介电层包括氧化物层。9.如申请专利范围第1项所述之自动对准节点接触窗之制造方法,其中该导电层包括复晶矽层。10.一种动态随机存取记忆体自动对准节点接触窗的制造方法;该制造方法至少包括:提供经过前处理的一半导体晶圆,该半导体晶圆包括有复数个主动区与复数个字元线,该些字元线具有一源/汲极区;在该半导体晶圆表面形成一第二介电层;在在该第一介电层上形成复数条导电层线,侧边具有一氮化矽间隙壁,其中该些复晶矽线作为该动态随机存取记忆体之位元线;在该些复晶矽层线上依序形成一第二介电层与一硬材料层;定义该硬材料层与该第二介电层,以该氮化矽间隙壁为终点,在该第二介电层一开口,暴露出该第二介电层侧壁、该氮化矽间隙壁与部分该第一介电层;在该第二介电层侧壁形成一复晶矽间隙壁;以及自动对准该复晶矽间隙壁,定义该第一介电层,形成一节点接触窗,暴露出该源/汲极区。11.如申请专利范围第10项所述之自动对准节点接触窗之制造方法,在该第二介电层侧壁形成一复晶矽间隙壁更包括在该第二介电层与该开口形成一复晶矽层;以及以该硬材料层为蚀刻终点,回蚀刻该复晶矽层,在该第二介电层侧壁形成该复晶矽间隙壁。12.如申请专利范围第10项所述之自动对准节点接触窗之制造方法,自动对准该复晶矽间隙壁定义该第一介电层,系以该硬材料层与该复晶矽间隙壁为罩幕。13.如申请专利范围第10项所述自动对准节点接触窗之制造方法,其中该第一介电层包括氧化物层。14.如申请专利范围第10项所述自动对准节点接触窗之制造方法,其中该第二介电层包括氧化物层。图式简单说明:第一图系显示一种动态随机存取记忆体记忆胞之俯视图;第二图a及第二图b为显示根据第一图I-I与II-II之侧视剖面图;以及第三图a、第三图b至第六图a、第六图b系显示根据本发明较佳实施例节点接触窗之制造流程剖面图。 |
