制造电容器之方法

摘要

本发明揭示一种制造电容器之方法，以有别于知者。知制造金属-绝缘体-金属电容器的方法系先沈积一层金属，然后蚀刻该金属之一部分，剩下的部分则作为电容器的下电极。由于金属的反射率高且蚀刻率较低，下电极的制造困难度高。于本发明之方法中，下电极系先沈积一氧化层，然后于蚀刻出一孔洞后，填满金属于该孔洞内或沈积金属于该孔洞的内侧表面，然后去除该氧化层，剩下的金属部分即为电容器之下电极。如此不仅可以制得更先进之细窄下电极，而且可以增加产率。

主权项

1.一种制造电容器之方法,包含下列步骤:形成一氧化层于一半导体基材上;形成一孔洞于该氧化层中;填充一第一金属导电层于该孔洞内;去除该氧化层,俾将该第一金属导电层作为电容器的下电极;形成一介电层于该下电极上;以及形成一第二金属导电层于该介电层上,作为电容器的上电极。2.如申请专利范围第1项之方法,其中该填充一第一金属导电层于该孔洞内之步骤包含下列步骤:沈积一第一金属导电层于该孔洞内以及氧化层的顶部表面上;以及去除位于该氧化层顶部表面上之第一金属导电层。3.如申请专利范围第2项之方法,其中该去除位于该氧化层顶部表面上之第一金属导电层的步骤系以化学机械研磨方法达成,并且更包含一清洗步骤。4.如申请专利范围第1项之方法,其中该第一金属导电层系由氮化钨、氮化钛、氮化钽、钌、或铂所组成。5.如申请专利范围第1项之方法,其中该去除氧化层的步骤系以湿式化学蚀刻法进行。6.如申请专利范围第1项之方法,其中该介电层系由氧化钽或氧化钛钡锶所组成。7.如申请专利范围第1项之方法,其中该第二金属导电层系由氮化钨、氮化钛、氮化钽、钌、或铂所组成。8.一种制造电容器之方法,包含下列步骤:形成一氧化层于一半导体基材上;形成一第一孔洞于该氧化层中;形成一第一金属导电层于该第一孔洞的内侧表面上,且使得该第一孔洞缩小成为一第二孔洞;去除该氧化层,俾将该第一金属导电层作为电容器的下电极,且该第二孔洞系位于该下电极的中央;形成一介电层于该下电极上;以及形成一第二金属导电层于该介电层上,作为电容器的上电极。9.如申请专利范围第8项之方法,其中该形成一第一金属导电层于该第一孔洞的内侧表面上之步骤包含下列步骤:沈积一第一金属导电层于该第一孔洞的内侧表面上以及氧化层的顶部表面上;以及去除位于该氧化层顶部表面上之第一金属导电层。10.如申请专利范围第9项之方法,其中该去除位于该氧化层顶部表面上之第一金属导电层的步骤系以化学机械研磨方法达成,并且更包含一清洗步骤。11.如申请专利范围第8项之方法,其中该第一金属导电层系由氮化钨、氮化钛、氮化钽、钌、或铂所组成。12.如申请专利范围第8项之方法,其中该去除氧化层的步骤系以湿式化学蚀刻法进行。13.如申请专利范围第8项之方法,其中该介电层系由氧化钽或氧化钛钡锶所组成。14.如申请专利范围第8项之方法,其中该第二金属导电层系由氮化钨、氮化钛、氮化钽、钌、或铂所组成。图式简单说明:第一图至第六图示根据本发明之一较佳具体实例之制造电容器的方法步骤;其中,第一图例示形成一氧化层于一半导体基材上之后,另形成一孔洞于该氧化层中;第二图例示沈积一第一金属导电层于孔洞中以及氧化层顶部表面上;第三图例示去除氧化层顶部表面上之第一金属导电层;第四图例示去除氧化层后形成第一金属导电层之下电极;第五图例示沈积一介电层于该下电极上;第六图例示形成一第二金属导电层于该介电层上,作为电容器的上电极;第七图至第九图示根据本发明之另一较佳具体实例之制造电容器的方法步骤;其中,第七图例示形成一第一金属导电层于第一孔洞的内侧表面上以及氧化层的顶部表面上;第八图例示去除氧化层顶部表面上的第一金属导电层;以及第九图例示去除氧化层后形成另一电容器的下电极。