发明名称 | 一种用于硅通孔阻挡层平坦化的化学机械抛光液 | ||
摘要 | 本发明揭示了一种用于硅通孔阻挡层平坦化的化学机械抛光液,至少含有一种磨料和氮化硅抛光速率抑制剂。该抛光液具有较高的二氧化硅去除速率,和较低的氮化硅去除速率,能够对硅通孔阻挡层进行高效的平坦化,同时不产生金属腐蚀,且对金属铜的去除可线性调节,具有较高的缺陷校正能力和较低的表面污染物指标。 | ||
申请公布号 | CN103173127B | 申请公布日期 | 2016.11.23 |
申请号 | CN201110437349.8 | 申请日期 | 2011.12.23 |
申请人 | 安集微电子(上海)有限公司 | 发明人 | 宋伟红;姚颖;孙展龙 |
分类号 | C09G1/02(2006.01)I | 主分类号 | C09G1/02(2006.01)I |
代理机构 | 上海翰鸿律师事务所 31246 | 代理人 | 李佳铭 |
主权项 | 一种用于硅通孔阻挡层平坦化的化学机械抛光液,由磨料,氮化硅抛光速率抑制剂,唑类化合物,水溶性聚合物,氧化剂,pH调节剂和杀菌防霉变剂组成,所述磨料粒径为40‑120nm,所述氮化硅抛光速率抑制剂为烷基磷酸酯盐,所述烷基磷酸酯盐选自烷基磷酸酯钠盐,烷基磷酸酯钾盐,烷基磷酸酯二乙醇胺盐和烷基磷酸酯三乙醇胺盐中的一种或几种,所述烷基磷酸酯盐的烷基碳原子数选自8~12,所述唑类化合物选自苯并三氮唑和/或其衍生物,所述水溶性聚合物为聚丙烯酸和/或聚丙烯酸盐及其共聚物,所述氧化剂为过氧化物和/或过硫化物,所述pH调节剂选自HCl,HNO<sub>3</sub>,H<sub>2</sub>SO<sub>4</sub>,乙二酸,丙二酸中的一种或几种,所述杀菌防霉变剂为季铵盐活性剂,所述烷基磷酸酯盐的含量为50‑2000ppm,所述唑类化合物的含量为0.01‑0.5wt%,所述水溶性聚合物的含量为0.01‑0.5wt%,所述氧化剂的含量为0.1‑0.5wt%,所述抛光液的pH值为2‑5。 | ||
地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区龙东大道3000号5号楼602室 |