| 主权项 |
1.一种形成电容器之下储存电极于基底上的方法,该方法包括下列步骤:形成一第一响缘层于该基底上;图案化并蚀利该第一绝缘层至到达该基底,以形成一位元线接触窗开口;沉积一导电层于该位元线接触窗开口中以及该第一绝缘层上;图案化并蚀刻该导电层,以形成一位元线;沉积一第二绝缘层于该位元线与该第一绝缘层上;沉积一氮化物层于该第二绝缘层上;沉积一第三绝缘层于该氮化物层上;图案化并蚀刻该第三绝缘层、该氮化物层、该第二绝缘层与该第一绝缘层,终止于该基底,以形成一第一储存电极接触窗开口;沉积一非晶矽层于该第一储存电极接触窗开口中与该第三绝缘层上;图案化并蚀刻该非晶矽层与该第三绝缘层终止于该氮化物层,以形成复数个开口;沿着该开口的侧壁形成非晶矽侧壁间隙壁;以及沉积一半球形晶粒覆晶矽于该非晶矽层与该非晶矽侧壁间隙壁上。2.如申请专利范围第1项之方法,其中该第一、该第二与该第三绝缘层系以氧化矽,硼磷矽玻璃与两者之组合的其中一种情形所组成。3.如申请专利范围第1项之方法,其中该导电层系由复晶矽所形成。4.如申请专利范围第1项之方法,其中该氮化物层系为氮化矽。5.如申请专利范围第1项之方法,其中该第二绝缘层的厚约为2000埃至4000埃。6.如申请专利范围第1项之方法,其中该氮化物层的厚度约为150埃至500埃。7.如申请专利范围第1项之方法,其中该第三绝缘层的厚度约为6000埃至9000埃。8.如申请专利范围第1项之方法,更包括下列步骤:沉积一薄介电层,于该下储存电极上;以及形成一上复晶矽层,于该介电层上。图式简单说明:第一图至第七图绘示依照本发明之形成堆叠式电容器的步骤之半导体基底的剖面图。 |
