| 主权项 |
1.一种移相光罩,包括一透明基材及一图型,由位于该透明基材上之半透明膜所形成,其中该基材沿该图型轨迹两侧边之两区域中之一具有一凹陷,使得穿透该两区域之曝照光的相位彼此逆转180,且该轨迹与该基材之两区域相邻之侧边上具有不同厚度,使得穿透该基材之一区域之曝照光及穿透该轨迹与其相邻之一侧边的曝照光的相位彼此逆转180,而穿透该基材两区域之另一区域的曝照光及穿透该轨迹与其相邻之另一侧边之曝照光的相位彼此逆转180。2.如申请专利范围第1项之移相光罩,其中该轨迹与该基材具有凹陷之一区域相邻之侧边系为该轨迹与该基材不具有凹陷之另一区域相邻之另一侧边的两倍厚。3.如申请专利范围第1项之移相光罩,其中该半透明膜系由相对于曝照光之透光度为10百分比或较低之薄膜所形成。4.如申请专利范围第1项之移相光罩,其中该该半透明膜系为含有氮或氧之矽化物或铬的薄膜。5.一种制造移相光罩之方法,包括步骤有:依序于一透明基材上形成一半透明膜及不透光膜,之后形成一抗焊剂膜图型,包括一厚膜部分及一薄膜部分;蚀刻该不透光膜沿着该抗焊剂膜图型轨迹两侧边之两区域,同时蚀刻一经曝光之半透明膜,以形成两基材区域;取除该抗焊剂膜之薄膜部分,蚀刻该底层不透光膜,浅薄地蚀刻经曝光之不透光膜,使得该经蚀刻之半透明膜具有一厚度,使得穿透该经蚀刻半透明膜及该基材区域靠着经蚀刻半透明膜侧边之一区域之曝照光之相位彼此逆转180;于形成之透明基材上形成抗焊剂膜图型,曝照该基材区域靠着该半透明膜之另一侧边而具有预定图型之另一区域;及蚀刻该另一基材区域,以形成一凹陷,使得穿透该另一基材区域及该一基材区域之曝照光的相位彼此逆转180,而穿透该另一基材区域及该半透明膜图型轨迹之未蚀刻部分的曝照光之相位彼此逆转180。第一图(a)至第一图(c)系显示本发明移相光罩之原理;第二图(a)至第二图(h)系为说明制造本发明一具体实例移相光罩之方法的剖面图;第三图(a)至第三图(h)系为说明制造习用列维森型移相光罩之方法的剖面图;第四图(a)至第四图(c)系显示该习用列维森型移相光罩之原理。 |
