| 摘要 |
<p>본 발명은 O-TEOS 산화막의 증착방법 및 O-TEOS 산화막을 포함한 소정의 물질막을 증착하기 위한 증착장치에 관한 것이다. 본 발명의 O-TEOS막 증착방법은, 하부막질 의존성이 없어지는 고온으로 제1 O-TEOS 산화막을 증착하는 단계와, 증착속도가 빠른 저온으로 제2 O-TEOS 산화막을 증착하는 단계를 구비한다. 또한, 본 발명의 증착장치는, 하나의 증착장치 내에 2 이상의 서셉터 또는 히터를 구비하고, 2 이상의 서셉터 또는 히터들중 적어도 하나의 가열온도는 나머지 히터들의 가열온도와 다른 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따르면, O-TEOS막을 고온 및 저온의 적어도 두 단계의 온도로 증착함으로써, 생산성이 감소하지 않으면서 하부막질 의존성이 제거된 O-TEOS막을 얻을 수 있다. 또한, 본 발명의 증착장치에 따르면, 하나의 장치 내에 2 이상의 서셉터 또는 히터를 구비함으로써 동일한 장치 내에서 서로 다른 온도로 소정의 물질막을 증착할 수 있게 된다.</p> |
