| 主权项 |
1.一种光纤马赫-策德尔干涉仪,包含:第一与第二延长光纤,系具有核心与被覆;第一与第二耦合器,其中前述第一光纤之被覆被耦合于前述第二光纤之被覆;第一延长干涉臂,包含延伸于前述第一与第二耦合器之间的前述第一光纤,其中该第一干涉臂包括形成于其中之一微型可曲波导管;以及第二延长干涉臂,包含延伸于前述第一与第二耦合器之间的前述第二光纤。2.如申请专利范围第1项所记载之光纤马赫-策德尔干涉仪,其中前述第一干涉臂包括形成于其中之多于一个微型可曲波导管。3.如申请专利范围第1项所记载之光纤马赫-策德尔干涉仪,其中前述第二干涉臂包括形成于其中之一微型可曲波导管。4.如申请专利范围第3项所记载之光纤马赫-策德尔干涉仪,其中前述第一干涉臂之前述微型可曲波导管被嵌套于前述第二干涉臂之前述微型可曲波导管。5.如申请专利范围第4项所记载之光纤马赫-策德尔干涉仪,其中前述第一与第二光纤之微型可曲波导管为预包装之微型可曲波导管,其中每个前述微型可曲波导管被支撑于保护外壳内,使得每得前述光纤之相对端突出于前述保护外壳,使前述第一与第二耦合器的位置可藉由前述第一与第二预包装之微型可曲波导管的保护外壳之间的分开长度来选择。6.如申请专利范围第1项所记载之光纤马赫-策德尔干涉仪,其中前述第一与第二光纤被安装于延长基板。7.如申请专利范围第6项所记载之光纤马赫-策德尔干涉仪,其中前述第一与第二光纤之第一与第二端延伸过前述基板之一端。8.如申请专利范围第4项所记载之光纤马赫-策德尔干涉仪,其中前述第一光纤之微型可曲波导管弯曲前述第一光纤大约180度。9.如申请专利范围第6项所记载之光纤马赫-策德尔干涉仪,其中前述第一与第二光纤之第一端延伸过前述基板之一端,以及第一与第二光纤之前述第二端延伸过前述基板之第二边缘,前述基板之第一边缘并未与前述基板之第二边缘相对。10.如申请专利范围第4项所记载之光纤马赫-策德尔干涉仪,其中前述第一光纤之微型可曲波导管弯曲前述第一光纤大约90度。11.如申请专利范围第6项所记载之光纤马赫-策德尔干涉仪,其中前述第一光纤之微型可曲波导管弯曲前述第一光纤,而形成弯曲半径大于前述第二光纤之微型可曲波导管之弯曲半径。12.如申请专利范围第6项所记载之光纤马赫-策德尔干涉仪,其中前述第一与第二光纤被黏着固定于前述基板上之前述相敏区相对于前述第一与第二耦合器的位置,且前述第一光纤在前述第一与第二耦合器之间被嵌套于前述第二光纤。13.如申请专利范围第6项所记载之光纤马赫-策德尔干涉仪,其中前述第一与第二光纤藉由黏性凝胶被固定于前述基板上沿着前述相敏区域之位置。14.如申请专利范围第6项所记载之光纤马赫-策德尔干涉仪,其中在前述相敏区域内之至少一光纤延伸过前述基板之一边缘。15.如申请专利范围第1项所记载之光纤马赫-策德尔干涉仪,其中前述第一延长光纤显示第一热膨胀系数;前述第二延长光纤显示第二热膨胀系数,且前述第一热膨胀系数大于前述第二热膨胀系数;其中前述第一光纤在前述第一与第二耦合器之间被嵌套于前述第二光纤。16.如申请专利范围第15项所记载之光纤马赫-策德尔干涉仪,其中前述第一与第二光纤与干涉臂系根据下式选择n1*dL1/dT+L1*dn1/dT=n2*dL2/dT+L2*dn2/dT其中d/dT表示温度导函数,n1为前述第一干涉臂之折射系数,L1为前述第一干涉臂之长度,n2为前述第二干涉臂之折射系数,L2为前述第二干涉臂之长度。17.如申请专利范围第15项所记载之光纤马赫-策德尔干涉仪,其中前述第一与第二光纤与干涉臂系根据下式选择n1*a*(L1-L2)=L2*dn2/dT-L1*dnl/dT其中n1约为前述第一与第二光纤之折射系数,a约为前述光纤这热膨胀系数,L1为前述第一干涉臂之长度,L2为前述第二干涉臂之长度,d/dT表示温度导函数,n1表示前述第一干涉臂之折射系数,以及n2表示前述第二干涉臂之折射系数。18.如申请专利范围第1项所记载之光纤马赫-策德尔干涉仪,其中前述第一与第二耦合器为不对称。19.如申请专利范围第1项所记载之光纤马赫-策德尔干涉仪,其中前述第一与第二耦合器为对称。20.如申请专利范围第1项所记载之光纤马赫-策德尔干涉仪,还包含第三光纤,其中前述第一、第二与第三光纤之至少一光纤为感光性。21.如申请专利范围第20项所记载之光纤马赫-策德尔干涉仪,其中前述第一、第二与第三光纤之至少一光纤为感光性。22.如申请专利范围第1项所记载之光纤马赫-策德尔干涉仪,其中前述第一耦合器显示大约0.5之分配率。23.如申请专利范围第1项所记载之光纤马赫-策德尔干涉仪,其中前述第一耦合器显示大于0.4之分配率。24.如申请专利范围第1项所记载之光纤马赫-策德尔干涉仪,其中前述第一与第二耦合器显示不同之分配率。25.如申请专利范围第1项所记载之光纤马赫-策德尔干涉仪,其中前述第一与第二干涉臂不均衡。26.如申请专利范围第1项所记载之光纤马赫-策德尔干涉仪,还包含位于相邻每个前述第一与第二耦合器之位置的光纤布喇格格子板。图式简单说明:第一图显示直线型马赫-策德尔干涉仪之架构图。第二图显示本发明在干涉臂上使用微型可曲波导管之马赫-策德尔干涉仪的架构图。第三图显示在其中一干涉臂上使用微型可曲波导管之马赫-策德尔干涉仪的架构图。第四图显示本发明具有3mm光学长度差値之非对等式马赫-策德尔干涉仪的耦合输出之图形。第五图描述本发明在干涉臂上使用90度微型可曲波导管之马赫-策德尔干涉仪的另一实施例。第六图描述本发明使用预包装之微型可曲波导管的马赫-策德尔干涉仪。第七图描述本发明在干涉臂上使用90度预包装微型可曲波导管之马赫-策德尔干涉仪的另一实施例。第八图与第九图描述本发明使用未包装微型可曲波导管之马赫-策德尔干涉仪的其他实施例。第十图描述本发明在干涉臂上使用90度预包装微型可曲波导管之马赫-策德尔干涉仪的其他实施例。 |
