| 摘要 |
<p>본 발명은 반도체장치의 제조방법에 관한 것으로서, 특히, PGI(profiled groove isolation)에 의한 소자격리와 전자빔에 의한 고해상도의 식각으로 플로팅게이트용 단전자점층 형성 부위를 정의하고 이를 도전층으로 충전시켜 단전자점층을 형성하므로서 초고속과 초저전력 및 초집적이 가능하도록 한 반도체장치의 비휘발성 메모리소자 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 반도체장치의 제조방법은 활성영역과 격리영역을 정의하는 필드격리막이 형성된 반도체기판의 활성영역의 소정부위에 해당하는 반도체기판의 소정부위를 제거하여 홈을 형성하는 단계와, 홈의 표면에 제 1 게이트절연막을 형성하는 단계와, 제 1 게이트절연막상에 홈을 충전시키는 단전자점층을 도전성물질로 형성하는 단계와, 단전자점층을 덮으며 홈 영역 상부를 포함하는 반도체기판상에 제 2 절연막을 형성하는 단계와, 제 2 절연막상에 콘트롤게이트를 형성하는 단계와, 활성영역의 상기 반도체기판 소정부위에 불순물 확산영역을 형성하는 단계를 포함하여 이루어진다.</p> |
