TUNGSTEN GATES FOR NON-PLANAR TRANSISTORS

摘要

본 발명은 비 평면형 트랜지스터를 갖는 마이크로 전자 장치의 제조 분야에 관한 것이다. 본 설명의 실시 형태는 비 평면형 NMOS 트랜지스터 내의 게이트의 형성에 관한 것인데, 여기서 알루미늄, 티타늄 및 탄소의 조성물 등의 NMOS 일함수 물질은, 티타늄-함유 게이트 충전 장벽과 함께 사용될 수 있어서, 비 평면형 NMOS 트랜지스터 게이트의 게이트 전극의 형성 시에 텅스텐 함유 도전성 물질의 사용을 용이하게 한다.