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<p>간략한 소자구성으로 저임계값 상보형 FET 를 포함하는 논리회로의 대기시의 리크전류저감을 도모함과 동시에 대기시에도 각 노드의 전위상태를 유지한다. 반도체 집적회로에 있어서, 전원선 (2) 과 의사전원선 (3) 사이에 제어트랜지스터 (4) 와 전위클램프회로 (9) 를 배치하고, 제어트랜지스터 (4) 가 OFF 된 대기상태에서도 의사전원선 (3) 을 전위클램프회로 (9) 에 의해 일정 전위로 클램프하고, 논리회로의 각 노드의 전위상태 (하이레벨, 로우레벨) 를 유지한다. 이 때, 논리회로를 구성하는 TET 는 백바이어스가 인가된 상태가 되어 동작시보다 Vt 가 높아지기 때문에 리크전류를 저감할 수 있다. 또한 이 반도체 집적회로에서는 제어트랜지스터 (4) 와 논리회로를 구성하는 상보형 FET 의 하나의 FET 는 동일한 Vt 를 설정할 수 있기 때문에, 제어트랜지스터 (4) 에 고 Vt 트랜지스터를 사용하는 종래기술보다 레이 아웃 면적을 축소시킬 수 있어 제조공정수도 삭감할 수 있다.</p> |
