| 主权项 |
1.一种发光二极体之结构,至少包括:一基板,该基板之一面上具有一布拉格反射镜层,且该基板的另一面上具有一背面电极;一第一型掺杂局限层,该第一型掺杂局限层位于该布拉格反射镜层上;一活性层,该活性层位于该第一型局限层上;一第二型掺杂局限层,该第二型掺杂局限层位于该活性层上;一电流分散层,该电流分散层位于该第二型掺杂局限层上;一网状结构之欧姆接触层,该网状结构之欧姆接触层位于该电流分散层上;一透光导电氧化物层,该透光导电氧化物层位于该网状结构之欧姆接触层上;以及一正面电极,该正面电极位于该透光导电氧化物层上。2.一种发光二极体之结构,至少包括:一基板,该基板之一面上具有一布拉格反射镜层,且该基板的另一面上具有一背面电极;一第一型掺杂局限层,该第一型掺杂局限层位于该布拉格反射镜层上;一活性层,该活性层位于该第一型局限层上;一第二型掺杂局限层,该第二型掺杂局限层位于该活性层上;一网状结构之欧姆接触层,该网状结构之欧姆接触层位于该第二型掺杂局限层上;一透光导电氧化物层,该透光导电氧化物层位于该网状结构之欧姆接触层上;以及一正面电极,该正面电极位于该透光导电氧化物层上。3.如申请专利范围第1项或第2项所述之发光二极体之结构,其中该基板系为砷化镓基板。4.如申请专利范围第1项或第2项所述之发光二极体之结构,其中该第一型掺杂局限层之材质系为n型掺杂之磷化铝铟镓材质。5.如申请专利范围第1项或第2项所述之发光二极体之结构,其中该第二型掺杂局限层之材质系为p型掺杂之磷化铝铟镓材质。6.如申请专利范围第1项或第2项所述之发光二极体之结构,其中该活性层之材质系选自于未掺杂之磷化铝铟镓与此材质所形成之量子井结构等所组成之族群。7.如申请专利范围第1项所述之发光二极体之结构,其中该电流分散层之材质系选自于砷化铝镓与磷化镓等所组成之族群。8.如申请专利范围第1项或第2项所述之发光二极体之结构,其中该欧姆接触层之材质系选自于砷化镓、磷化镓与磷砷化镓等所组成之族群。9.如申请专利范围第1项或第2项所述之发光二极体之结构,其中该欧姆接触层之材质系为p型掺杂。10.如申请专利范围第1项或第2项所述之发光二极体之结构,其中该透光导电氧化物层之材质系选自于氧化铟、氧化锡与氧化铟锡等所组成之族群。11.一种发光二极体之结构,至少包括:一基板,该基板之一面上具有一布拉格反射镜层,且该基板的另一面上具有一背面电极;一第一型掺杂局限层,该第一型掺杂局限层位于该布拉格反射镜层上;一活性层,该活性层位于该第一型局限层上;一第二型掺杂局限层,该第二型掺杂局限层位于该活性层上;一电流分散层,该电流分散层位于该第二型掺杂局限层上;一网状结构之欧姆接触层,该网状结构之欧姆接触层位于该电流分散层上,其中,该网状结构之欧姆接触层具有一第一厚度,且该网状结构之欧姆接触层包括复数个具有第一宽度之格状漏空部分,该些格状漏空部分并以一第二宽度相间隔;一透光导电氧化物层,该透光导电氧化物层位于该网状结构之欧姆接触层上;以及一正面电极,该正面电极位于该透光导电氧化物层上。12.如申请专利范围第11项所述之发光二极体之结构,其中该基板系为砷化镓基板。13.如申请专利范围第11项所述之发光二极体之结构,其中该第一型掺杂局限层之材质系为n型掺杂之磷化铝铟镓材质。14.如申请专利范围第11项所述之发光二极体之结构,其中该第二型掺杂局限层之材质系为p型掺杂之磷化铝铟镓材质。15.如申请专利范围第11项所述之发光二极体之结构,其中该活性层之材质系选自于未掺杂之磷化铝铟镓与此材质所形成之量子井结构等所组成之族群。16.如申请专利范围第11项所述之发光二极体之结构,其中该电流分散层之材质系选自于神化铝镓与磷化镓等所组成之族群。17.如申请专利范围第11项所述之发光二极体之结构,其中该欧姆接触层之材质系选自于砷化镓、磷化镓与磷砷化镓等所组成之族群。18.如申请专利范围第11项所述之发光二极体之结构,其中该第一厚度较佳为6m。19.如申请专利范围第11项所述之发光二极体之结构,其中该第一宽度较佳为5m。20.如申请专利范围第11项所述之发光二极体之结构,其中该第二宽度较佳为1m。21.如申请专利范围第11项所述之发光二极体之结构,其中该欧姆接触层之材质系为p型掺杂。22.如申请专利范围第11项所述之发光二极体之结构,其中该透光导电氧化物层之材质系选自于氧化铟、氧化锡与氧化铟锡等所组成之族群。23.一种应用于发光二极体之网状透光导电层之结构,至少包括:一网状结构之欧姆接触层,该网状结构之欧姆接触层包括复数个具有格状漏空部分;以及一透光导电氧化物层,该透光导电氧化物层位于该网状结构之欧姆接触层上。图式简单说明:第一图至第三图分别绘示为习知中不同发光二极体之结构示意图;第四图绘示为不同材料在不同波长时的光吸收系数分布图;第五图绘示为依照本发明一较佳实施例中发光二极体之结构示意图;第六图绘示为用以形成网状结构之欧姆接触层216的光罩图形;第七图绘示为第六图中光罩的放大示意图;第八图A绘示为固定电流分散层厚度为6m时,对不同的砷化镓线宽时所得到相对发光强度对孔径大小w的关系图;第八图B绘示为固定砷化镓线宽为1m时,针对不同电流分散层厚度所得到相对发光强度对孔径大小w的关系图;以及第九图绘示为本发明之二极体在每一单位方格内的电流分布模拟结果。 |
