| 主权项 |
1.一种晶体基底基础装置包括:一晶体基底,具有形成于其上之一微结构;以及至少一封装层,藉由一黏着剂密封在该微结构上,且在该晶体基底及该至少一封装层之间定义至少一间隙。2.如申请专利范围第1项所述之晶体基底基础装置,其中该至少一封装层是使用一黏着剂密封在该晶体基底上。3.如申请专利范围第2项所述之晶体基底基础装置,其中该黏着剂包括环氧树脂。4.如申请专利范围第1项所述之晶体基底基础装置,其中该晶体基底包括矽。5.如申请专利范围第1项所述之晶体基底基础装置,其中该晶体基底包括铌酸锂。6.如申请专利范围第1项所述之晶体基底基础装置,其中该至少一封装层是透明的。7.如申请专利范围第1项所述之晶体基底基础装置,其中该至少一间隙包括复数个洞。8.如申请专利范围第1项所述之晶体基底基础装置,其中该微结构包括一微机械结构。9.如申请专利范围第1项所述之晶体基底基础装置,其中该微结构包括一微电子结构。10.如申请专利范围第1项所述之晶体基底基础装置,其中该微结构包括一微光电结构。11.一种晶片尺度封装晶体基底包括:一基底,具有形成于其上之一微结构;以及至少一晶片尺度封装,密封在该微结构上,且在该微结构及该至少一晶片尺度封装之间定义至少一间隙。12.如申请专利范围第11项所述之晶片尺度封装晶体基底,其中该至少一封装是使用一黏着剂密封在该基底上。13.如申请专利范围第12项所述之晶片尺度封装晶体基底,其中该黏着剂包括环氧树脂。14.如申请专利范围第11项所述之晶片尺度封装晶体基底,其中该基底包括矽。15.如申请专利范围第11项所述之晶片尺度封装晶体基底,其中该基底包括铌酸锂。16.如申请专利范围第11项所述之晶片尺度封装晶体基底,其中该至少一封装是至少部分透明的。17.如申请专利范围第11项所述之晶片尺度封装晶体基底,其中该至少一间隙包括复数个洞。18.如申请专利范围第11项所述之晶片尺度封装晶体基底,其中该微结构包括一微机械结构。19.如申请专利范围第11项所述之晶片尺度封装晶体基底,其中该微结构包括一微电子结构。20.如申请专利范围第11项所述之晶片尺度封装晶体基底,其中该微结构包括一微光电结构。21.一种晶体基底基础装置之制造方法包括:于一基底上提供一微结构;以及在该微结构上胶黏密封至少一封装层,且在该微结构及该至少一封装层之间定义至少一间隙。22.如申请专利范围第21项所述之晶体基底基础装置之制造方法,其中该至少一封装层是使用一黏着剂密封在该晶体基底上。23.如申请专利范围第21项所述之晶体基底基础装置之制造方法,其中该黏着剂包括环氧树脂。24.如申请专利范围第21项所述之晶体基底基础装置之制造方法,其中该晶体基底包括矽。25.如申请专利范围第21项所述之晶体基底基础装置之制造方法,其中该晶体基底包括铌酸锂。26.如申请专利范围第21项所述之晶体基底基础装置之制造方法,其中该至少一封装层是透明的。27.如申请专利范围第21项所述之晶体基底基础装置之制造方法,其中该至少一间隙包括复数个洞。28.如申请专利范围第21项所述之晶体基底基础装置之制造方法,其中该微结构包括一微机械结构。29.如申请专利范围第21项所述之晶体基底基础装置之制造方法,其中该微结构包括一微电子结构。30.如申请专利范围第11项所述之晶体基底基础装置之制造方法,其中该微结构包括一微光电结构。31.如申请专利范围第1项所述之晶体基底基础装置,其中该晶体基底包括钽酸锂。32.如申请专利范围第1项所述之晶体基底基础装置,其中该徵结构包括表面声波装置。33.如申请专利范围第11项所述之晶片尺度封装晶体基底,其中该晶体基底包括石英。34.如申请专利范围第21项所述之晶体基底基础装置之制造方法,其中该晶体基底包括钽酸锂。35.如申请专利范围第21项所述之晶体基底基础装置之制造方法,其中该微结构包括表面声波装置。36.如申请专利范围第1项所述之晶体基底基础装置,其中该晶体基底包括石英。37.如申请专利范围第21项所述之晶体基底基础装置之制造方法,其中该晶体基底包括石英。图式简单说明:第一图A及第一图B说明在本发明之实施例中一种晶体基底基础装置,具有一凹处,之结构及操作。第二图A至第二图D说明显示在第一图A及第一图B之一般型式之四个可选用实施例中之晶体基底基础装置之结构及操作。第三图说明显示在第一图A至第二图D之型式之典型积体电路装置之部分剖面图。第四图A、第四图B、第四图C、第四图D及第四图E,是举例说明依据本发明之一较佳实施例中一种制造使用于晶体基底基础装置之封装层之制造方法之步骤。第五图A、第五图B、第五图C、第五图D、第五图E、第五图F、第五图G、第五图H及第五图I,是举例说明依据本发明之一较佳实施例中显示在第一图A至第二图D之型式之一种制造使用于晶体基底基础装置之封装层之制造方法之步骤。第六图A、第六图B、第六图C、第六图D、第六图E、第六图F、第六图G、第六图H、第六图I、第六图J及第六图K,是举例说明依据本发明之另一较佳实施例中显示在第二图B之型式之一种制造使用于晶体基底基础装置之封装层之制造方法之步骤。第七图A、第七图B、第七图C、第七图D、第七图E、第七图F及第七图G,是举例说明依据本发明之另一较佳实施例中显示在第二图D之型式之一种制造使用于晶体基底基础装置之封装层之制造方法之步骤。第八图A及第八图B,是举例说明显示以第五图A至第五图I之方法制造在第二图A及第二图C之型式之晶体基底基础装置之封装层所使用之设备。第九图A及第九图B,是举例说明显示以第六图A至第六图K之方法制造在第二图B之型式之晶体基底基础装置之封装层所使用之设备。第十图A及第十图B,是举例说明显示以第七图A至第七图G之方法制造在第二图D之型式之晶体基底基础装置之封装层所使用之设备。 |
