| 主权项 |
1.一种降低低压TEOS制程所导致之微粒的方法,首先将半导体基板置于晶舟上并将该晶舟置入反应器中,进行传统之低压TEOS制程以在所述半导体基板上沉积一层二氧化矽薄膜;其特征在于,在所述低压TEOS制程完成之后,将氧分子通入所述反应器中,以对沉积于晶舟上之二氧化矽薄膜进行回火制程。2.如申请专利范围第1项之降低低压TEOS制程所导致之微粒的方法,其中所述氧分子为氧气(O2)。3.如申请专利范围第1项之降低低压TEOS制程所导致之微粒的方法,其中所述回火制程系将所述半导体基板的温度维持在700℃至750℃之间。4.如申请专利范围第1项之降低低压TEOS制程所导致之微粒的方法,其中所述回火制程的反应压力介于0.3torr至0.7torr之间。5.如申请专利范围第1项之降低低压TEOS制程所导致之微粒的方法,其中所述回火制程的反应持续10至50分钟。6.一种降低低压TEOS制程所导致之微粒的方法,其包含:a.将一批半导体基板置于晶舟上并将该晶舟置入反应器中;b.进行传统之低压TEOS制程以在所述半导体基板上沉积一层二氧化矽薄膜;c.将氧分子通人所述反应器中,以对沉积于晶舟上之二氧化矽薄膜进行回火制程;d.将所述晶舟自所述反应器中取出;e.将下一批半导体基板置于晶舟上,并将该晶舟送入所述反应器中;f.重复步骤b至步骤e,以完成复数批半导体基板之低压TEOS制程;g.将未承放半导体基板之该晶舟置入所述反应器中;以及h.将氧分子通入所述反应器中,以对沉积于晶舟上之二氧化矽薄膜进行强化回火制程。7.如申请专利范围第6项之降低低压TEOS制程所导致之微粒的方法,其中所述复数批为5至15批之间。8.如申请专利范围第6项之降低低压TEOS制程所导致之微粒的方法,其中所述氧分子为氧气(O2)。9.如申请专利范围第6项之降低低压TEOS制程所导致之微粒的方法,其中所述回火制程系将所述半导体基板的温度维持在700℃至750℃之间。10.如申请专利范围第6项之降低低压TEOS制程所导致之微粒的方法,其中所述回火制程的反应压力介于0.3torr至0.7torr之间。11.如申请专利范围第6项之降低低压TEOS制程所导致之微粒的方法,其中所述回火制程的反应持续10至50分钟。12.如申请专利范围第6项之降低低压TEOS制程所导致之微粒的方法,其中所述强化回火制程系将所述半导体基板的温度维持在700℃至750℃之间。13.如申请专利范围第6项之降低低压TEOS制程所导致之微粒的方法,其中所述强化回火制程的反应压力介于0.1torr至1.0torr之间。14.如申请专利范围第6项之降低低压TEOS制程所导致之微粒的方法,其中所述强化回火制程的反应持续10至60分钟。图式简单说明:第一图为习知技艺之晶舟的示意图。第二图为习知技艺中,低压TEOS制程在半导体基板上产生污染微粒的示意图。第三图为本发明之第一实施例中,降低低压TEOS制程所导致之微粒的方法的流程图。第四图为本发明之第二实施例中,降低低压TEOS制程所导致之微粒的方法的流程图。第五图为对半导体基板以微粒扫描机进行微粒污染扫描的微粒分布图,其中第五图A是利用习知之低压TEOS技术所生成的微粒分布图,而第五图B则是利用本发明之技术所生成的微粒分布图。第六图是利用椭圆仪(ellipsometer)量测半导体基板上之二氧化矽薄膜的n値(折射率)和k値(吸收系数)。 |
