| 主权项 |
1.一种多晶矽化金属闸极的制造方法,包括下列步骤:提供一基底,该基底上至少形成有一闸介电层、一多晶矽层、一金属矽化物层与一绝缘层,其中该多晶矽层位于该闸介电层上方,该金属矽化物层位于该多晶矽层上方,且该绝缘层位于该金属矽化物层上方;形成图案化之一光阻层于该绝缘层上;以该光阻层为蚀刻罩幕,使用非等向性蚀刻法除去暴露出之该绝缘层;以该光阻层为罩幕,使用一第一电浆来进行一第一非等向性蚀刻步骤,以除去暴露出之该金属矽化物层;使保留之该金属矽化物层的侧边部分发生氧化反应,以形成一金属氧化物层于该金属矽化物层的侧壁;以及以该光阻层为罩幕,使用一第二电浆来进行一第二非等向性蚀刻步骤,以除去暴露出之该多晶矽层。2.如申请专利范围第1项所述之多晶矽化金属闸极的制造方法,其中使该金属矽化物层的侧边部分发生氧化反应以形成该金属氧化物层的方法,包括使用氧电浆处理该基底。3.如申请专利范围第1项所述之多晶矽化金属闸极的制造方法,其中使该金属矽化物层的侧边部分发生氧化反应以形成该金属氧化物层的方法,包括使用一H2SO4/H2O2/H2O混合液处理该基底。4.如申请专利范围第3项所述之多晶矽化金属闸极的制造方法,其中该H2SO4/H2O2/H2O混合液中各成分的重量比例约为H2SO4:H2O2:H2O=1:1:5。5.如申请专利范围第1项所述之多晶矽化金属闸极的制造方法,其中该金属矽化物层系选自由矽化钨、矽化钛、矽化钽、矽化锆与矽化铪所组成之族群。6.如申请专利范围第1项所述之多晶矽化金属闸极的制造方法,其中该第一电浆包括Cl2/C2F6/N2电浆或Cl2/CF4电浆。7.如申请专利范围第1项所述之多晶矽化金属闸极的制造方法,其中该第二电浆为HBr/Cl2电浆,且该金属氧化物层之一金属成分与氧原子的键结强度大于该金属成分与氯原子的链结强度。8.如申请专利范围第1项所述之多晶矽化金属闸极的制造方法,其中该绝缘层之材质系选自由氮化矽、氮氧化矽与氧化矽所组成之族群。9.如申请专利范围第1项所述之多晶矽化金属闸极的制造方法,其中更包括在进行该第一非等向性蚀刻步骤之后,将该光阻层移去,而使该绝缘层成为该第二非等向性蚀刻步骤中之一硬罩幕层。10.一种多晶矽化金属闸极的结构,适用于一基底上,该基底上已形成有一闸介电层,该结构包括:图案化之一多晶矽层,其位于该闸介电层上;一金属矽化物层,其位于该多晶矽层上;一金属氧化物层,其位于该金属矽化物层之侧壁;以及一绝缘层,其位于该金属矽化物层之上。11.如申请专利范围第10项所述之多晶矽化金属闸极的结构,其中该金属矽化物层系选自由矽化钨、矽化钛、矽化钽、矽化锆与矽化铪所组成之族群。12.如申请专利范围第10项所述之多晶矽化金属闸极的结构,其中该绝缘层之材质系选自由氮化矽、氮氧化矽与氧化矽所组成之族群。13.如申请专利范围第10项所述之多晶矽化金属闸极的结构,其中该金属氧化物层之一金属成分与氧原子的键结强度大于该金属成分与氯原子的键结强度。图式简单说明:第一图所绘示为习知之多晶矽化金属闸极的制造方法示意图。第二图所绘示为习知技艺之多晶矽化金属闸极制程中,解决多晶矽蚀刻时之金属矽化物层底切问题的方法。第三图A-第三图C所绘示本发明较佳实施例之多晶矽化金属闸极的制造方法流程剖面图。 |
