发明名称 HYBRID ELEMENT ARRAY BASED MEMRESISTOR
摘要 본 발명은 멤리스터(Memristor)에 관한 것으로, 보다 상세하게는 멤리스터의 저항의 저장 특성을 이용하여 멤리스터와 저항을 전압분배기 구조로 제작하여, 낮은 전압 구간에는 멤리스터의 저항값을 큰 값으로 저장하면 높은 전압 출력 즉 "1"을 저장하고, 멤리스터의 저항값을 작은 값으로 저장하면 낮은 전압 출력인 "0"이 저장되도록 만드는 메모리 소자와, 높은 전압의 구간에는 LED(Light Emitting Device) 특성을 가지는 소자에 대응하는 하이브리드 특성을 가지는 소자를 이용하여 병렬구조로 메모리 어레이(Memristive ROM)로 제작되며, 제작된 메모리 어레이는 Electro Hydrodynamic(EHD) 인쇄전자 기법으로 제작되어 유연 소자로서의 특성을 가지는 메모리 및 LED로 사용 가능한 하이브리드 특성 소자를 제공하고자 한다.
申请公布号 KR20160144623(A) 申请公布日期 2016.12.19
申请号 KR20150080994 申请日期 2015.06.09
申请人 제주대학교 산학협력단 发明人 배진호;알리 샤우카트
分类号 H01L29/06;H01L29/12 主分类号 H01L29/06
代理机构 代理人
主权项
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