| 主权项 |
1.一种用于处理微电子工件之方法,其工件具有第一侧、相对第一侧之第二侧及结合在周围区域之第一及第二侧之外部周围,该方法包括步骤为:分别应用第一处理液体及第二处理液体至微电子工件之第一及第二侧;当同时选择地提供介于第二处理液体及微电子工件之第二侧间之接头至第二侧之外部边缘排除区域,选择地提供介于第一处理液体及微电子工件之第一侧及微电子工件之第二侧之外部边缘间之接头。2.如申请专利范围第1项之方法,其中选择地提供接头之步骤包括抽出在边界之第二处理液体,该边界由外部边缘之内部圆周所限定。3.如申请专利范围第1项之方法,其中选择地提供接头之步骤包括抽出在边界之第一处理液体,该边界由周围边缘之内部圆周所限定。4.如申请专利范围第2项之方法,其中选择地提供接头之步骤包括抽出在边界之第一处理液体,该边界由周围边缘之内部圆周所限定。5.一种用于处理微电子工件之方法,其工件具有第一侧、相对第一侧之第二侧及结合在周围区域之第一及第二侧之外部周围,该方法包括步骤为:分别应用第一处理液体及第二处理液体至微电子工件之第一及第二侧;当同时提供微电子工件之第一侧及微电子工件之第二侧之外部边缘,阻止介于第一处理液体及微电子工件之第一侧及微电子工件之第二侧之外部边缘间之接头。6.如申请专利范围第5项之方法,其中阻止步骤包括抽出在边界之第二处理液体,该边界由外部边缘之内部圆周所定义。7.如申请专利范围第5项之方法,其中阻止步骤包括抽出在边界之第一处理液体,该边界藉由周围边缘之内部圆周所定义。8.如申请专利范围第6项之方法,其中阻止步骤包括抽出在边界之第一处理液体,该边界由圆周边缘之内部圆周所定义。9.一种用于处理微电子工件之方法,其工件具有第一侧、相对第一侧之第二侧及外部周围,该方法包括步骤为:导引第一处理液体在微电子工件之第一侧;导引第二处理液体在微电子工件之第二侧;驱动第一处理液体以接触微电子工件之第一侧,外部圆周及微电子工件之第二侧之圆周边缘;驱动第二处理液体以接触实质上只在第二侧部分,该第二侧在第二侧之圆周边缘内部。10.如申请专利范围第9项之方法,其中该第一方法液体系腐蚀剂。11.如申请专利范围第9项之方法,其中该微电子工件之第二侧系装置侧。12.如申请专利范围第10项之方法,其中该微电子工件之第二侧系装置侧。13.如申请专利范围第9项之方法,其中驱动第一处理液体之步骤包括驱动使用向心加速度之第一处理液体,该加速度至少一部份来自微电子工件之转动。14.如申请专利范围第9项之方法,其中驱动第二处理液体之步骤包括驱动使用向心加速度之第二处理液体,该加速度至少一部份来自微电子工件之转动。15.一种用于处理微电子工件之方法,其工件具有第一侧、第二侧及结合在周围之第一及第二侧之外部周围,该方法包括步骤为:应用一薄膜在第二侧外部而且至少在一部份外部圆周上;当防止该处理液体流过第二侧除外部边缘外,随后选择地提供一可蚀刻至少该薄膜以流过第二侧之外部边缘之处理液体,以至于实质上由第二侧之外部边缘移除薄膜。16.如申请专利范围第15项之方法,其中该处理液体引起流过该第一侧及外部圆周,及第二侧之外部边缘,以至于由外部圆周移除薄膜而且以至于移除任意污染物,其方法可腐蚀或由第一侧移除。17.如申请专利范围第15项之方法,其中薄膜系包括铜。18.如申请专利范围第15项之方法,其中液体系包括氢氟酸及过氧化氢之混合物。19.如申请专利范围第15项之方法,其中该处理液体系包括硫酸及过氧化氢之混合物。20.一种用于处理微电子工件之方法,其工件具有第一侧、第二侧及结合在周围之第一及第二侧之外部周围,该方法包括步骤为:应用一障碍层越过第二侧及越过至少一部份微电子之外部圆周;应用一晶种层至障碍层外部;应用一金属层在晶种层;选择地提供一处理液体可蚀刻至少该晶种层及金属层以越过第二侧之外部边缘,当防止该处理液体流过该外部边缘外之这些部分第二侧,以至于实质上由第二侧之外部边缘移除晶种层及金属层。21.如申请专利范围第20项之方法,其中应用金属层之步骤系包括电镀至少一部份金属层在晶种层上。22.如申请专利范围第21项之方法,其中金属层包括铜。23.如申请专利范围第20项之方法,其中选择地提供之步骤包括:应用该处理液体及另一处理液体分别地至微处理工件之第一及第二侧;选择地提供介于第一处理液体及微电子工件之第一侧及微电子工件之第二侧之外部边缘间之接头,当同时选择地提供介于另一处理液体及微电子工件之第二侧间之接头至第二侧之外部边缘排除区域。24.如申请专利范围第20项之方法,其中选择地提供包括步骤:应用该处理液体及另一处理液体分别地至微处理工件之第一及第二侧;当同时提供该处理液体接触微电子工件之第一侧及微电子工件之第二侧之外部边缘,阻止介于另一处理液体及微电子工件之第二侧之外部边缘间之接头。25.如申请专利范围第20项之方法,其中选择地提供步骤包括:导引该处理液体在微处理工件之第一侧;导引另一处理液体在微电子工件之第二侧;驱动该处理液体以接触微电子工件之第一侧,外部圆周及微电子工件之圆周边缘;驱动第二处理液体以接触实质上只在第二侧部分,该第二侧在第二侧之圆周边缘内部。26.如申请专利范围第25项之方法,其中微电子工件之第二侧系装置侧。27.如申请专利范围第25项之方法,其中驱动第一处理液体之步骤包括驱动该使用向心加速度之第一处理液体,该加速度至少部分来自该微电子工件之转动。28.如申请专利范围第25项之方法,其中驱动第二处理液体之步骤包括驱动该使用向心加速度之第二处理液体,该加速度至少部分来自该微电子工件之转动。图式简单说明:第一图A,第一图B,第一图C及第一图D系微电子工件之分散、截面视图例如矽晶圆,与习知技术一致之处理步骤之已知顺序之不同阶段。第二图A,第二图B,第二图C及第二图D系微电子工件之分散、截面视图例如矽晶圆,与本发明一致之处理步骤之新颖顺序之不同阶段。第三图及第四图显示可用来实施本发明过程之反应器实施例。 |
