| 主权项 |
1.一种将电气可规划的相位变化记忆体元件规划到低电阻状态的方法,该记忆体元件包括相位变化记忆体材料体,至少具有该低电阻状态及可侦测之不同的高电阻状态,该方法的步骤包括:对该记忆体材料施加第一脉冲的能量,该第一脉冲足以将该记忆体材料从低电阻状态转换到该高电阻状态,以及在该第一脉冲之后接着对该记忆体材料施加第二脉冲的能量,该第二脉冲足以将该记忆体材料从该高电阻状态转换到该低电阻状态。2.如申请专利范围第1项的方法,其中该第一脉冲及该第二脉冲的能量是电能。3.如申请专利范围第1项的方法,其中该第一脉冲及该第二脉冲是电流脉冲。4.如申请专利范围第1项的方法,其中该第一脉冲的持续时间小于该第二脉冲的持续时间。5.如申请专利范围第1项的方法,其中该第一脉冲的振幅大于该第二脉冲的振幅。6.如申请专利范围第1项的方法,其中该相位变化材料包括至少一种硫属元素。7.一种设定电气可规划的相位变化记忆体元件的方法,该记忆体元件至少具有一低电阻状态以及一可侦测之不同的高电阻状态,该方法的步骤包括:对该记忆体材料施加第一脉冲的能量,该第一脉冲足以将该记忆体材料从低电阻状态转换到该高电阻状态,以及在该第一脉冲之后接着对该记忆体材料施加第二脉冲的能量,该第二脉冲足以将该记忆体材料从该高电阻状态转换到该低电阻状态。8.如申请专利范围第7项的方法,其中该第一脉冲及该第二脉冲的能量是电能。9.如申请专利范围第7项的方法,其中该第一脉冲及该第二脉冲是电流脉冲。10.如申请专利范围第7项的方法,其中该第一脉冲的持续时间小于该第二脉冲的持续时间。11.如申请专利范围第7项的方法,其中该第一脉冲的振幅大于该第二脉冲的振幅。12.如申请专利范围第7项的方法,其中该相位变化材料包括至少一种硫属元素。13.一种将电气可规划的相位变化记忆体元件规划到所要状态的方法,该记忆体元件包括相位变化记忆体材料体,至少具有该低电阻状态及可侦测之不同的高电阻状态,该方法的步骤包括:读取该记忆体元件的目前状态;决定目前状态是否等于该所要状态;以及,如果不是,将该记忆体元件从目前状态规划到该所要状态。14.如申请专利范围第13项的方法,其中该读取步骤的步骤包括:对该记忆体材料施加读取脉冲的能量;以及决定该记忆体材料的电阻。15.如申请专利范围第13项的方法,其中该决定步骤包括比较该记忆体材料的目前电阻与该所要的电阻状态。16.如申请专利范围第13项的方法,其中该相位变化材料包括一硫属元素。17.如申请专利范围第14项的方法,其中该能量是电能。18.如申请专利范围第14项的方法,其中该读取脉冲是电压脉冲。 |
