发明名称 INTEGRATED CIRCUIT WITH A SIDEWALL LAYER AND AN ULTRA-THICK METAL LAYER AND METHOD OF MAKING
摘要 집적회로는 기판, 기판 위의 금속층, 및 금속층 위의 제1 유전체층을 포함한다. 제1 유전체층은 비아를 포함한다. 측벽층은 비아 내에 있는 실리콘 화합물을 포함한다. 제2 유전체층은 측벽층 위에 있고, UTM(ultra-thick metal)층은 비아 내에 있다.
申请公布号 KR101689434(B1) 申请公布日期 2016.12.23
申请号 KR20140090246 申请日期 2014.07.17
申请人 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 发明人 루 치-훙;하오 칭-첸
分类号 H01L21/60;H01L21/28;H01L21/31 主分类号 H01L21/60
代理机构 代理人
主权项
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