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가스 공급부, 및 반응 챔버를 포함하고, 상기 가스 공급부는 상부 가스 혼합부, 상기 상부 가스 혼합부의 아래에 배치된 중간 가스 혼합부, 상기 중간 가스 혼합부의 아래에 배치된 하부 가스 혼합부, 상기 상부 가스 혼합부의 상부에 배치되어 상기 상부 가스 혼합부 내에 제1 가스를 공급하는 제1 가스 공급관, 상기 상부 가스 혼합부의 측면의 상단부에 배치되어 상기 상부 가스 혼합부 내에 제2 가스를 공급하는 제2 가스 공급관, 및 상기 중간 가스 혼합부의 측면 상에 배치되어 상기 중간 가스 혼합부 내에 제3 가스를 공급하는 제3 가스 공급관을 포함하는 반도체 소자 제조 설비가 설명된다. |
