FINFET FIN FIELD EFFECT TRANSISTOR FINFET DEVICE STRUCTURE WITH INTERCONNECT STRUCTURE

摘要

반도체 소자 구조물, 및 반도체 소자 구조물을 형성하기 위한 방법이 제공된다. 반도체 소자 구조물이 기판 위에 형성된 제1 금속 층 및 제1 금속 층 위에 형성된 유전체 층을 포함한다. 반도체 소자 구조물이 유전체 층 내에, 그리고 유전체 층 내에 형성된 제1 금속 층 및 제2 금속 층 위에 형성된 부착 층을 더 포함한다. 제2 금속 층이 제1 금속 층에 전기적으로 연결되고, 부착 층의 일부가 제2 금속 층과 유전체 층 사이에 형성된다. 부착 층이 제2 금속 층의 상단 부분을 따라 배치되는 제1 부분을 포함하고, 제1 부분은 수직 방향을 따르는 연장 부분을 갖는다.