半导体制造装置用晶圆保持体

摘要

一种基板落下防止机构及具备该防止机构之基板检查装置，即使产生真空吸附不良之情形，亦能防止基板落下。由于具备在将基板W之里面R朝下配置成水平状态时，使卡止构件24自基板之表面前方退出，且使基板相对水平倾斜时，使卡止构件分别面对基板表面及周缘之方式设置的卡止构件移动机构25，因此在水平状态下卡止构件自作为检查对象等之表面前方退出，而不致成为目视检查等之障碍，且在为进行里面检查而使基板倾斜时，即使因真空吸附不良导致基板脱离时，亦将由于卡止构件系面对表面及周缘设置以卡止基板，而能防止基板倒下及偏移掉落。

主权项

2.如申请专利范围第1项之半导体制造装置用晶圆保持体,其中上述背面侧之陶瓷基材,系具有100W/mk以下导热系数之材质者。3.如申请专利范围第1项之半导体制造装置用晶圆保持体,其中于上述背面侧陶瓷基材与上述加热器之间形成中介层,且该中介层系导热系数为10W/mk以下之接合层者。4.如申请专利范围第3项之半导体制造装置用晶圆保持体,其中上述接合层之厚度,系在10m以上者。5.如申请专利范围第1项之半导体制造装置用晶圆保持体,其中之陶瓷基材系包含一种以上选自由氮化铝、氧化铝、氮化矽、及碳化矽所构成之群。6.一种半导体制造装置用晶圆保持体,其系具有加热器与用以夹住该加热器之一对陶瓷基材,且具有隔着加热器互相面对面之晶圆保持面与背面,且自加热器偏背面侧之部分形成有绝热层。7.如申请专利范围第6项之半导体制造装置用晶圆保持体,其中上述背面侧陶瓷基材,系具有100W/mk以下之导热系数之材质者。8.如申请专利范围第6项之半导体制造装置用晶圆保持体,其中于上述背面侧陶瓷基材与上述加热器之间形成中介层,且该中介层系导热系数为10W/mk以下之接合层者。9.如申请专利范围第8项之半导体制造装置用晶圆保持体,其中上述接合层之厚度,系在10m以上者。10.如申请专利范围第6项之半导体制造装置用晶圆保持体,其中之陶瓷基材系包含一种以上选自由氮化铝、氧化铝、氮化矽、及碳化矽所构成之群。11.一种半导体制造装置用晶圆保持体,其系具有加热器与用以夹住该加热器之一对陶瓷基材,且具有隔着加热器互相面对面之晶圆保持面与背面,而加热器与晶圆保持体背面之间含有一空隙部。12.如申请专利范围第11项之半导体制造装置用晶圆保持体,其中上述背面侧陶瓷基材,系具有100W/mk以下之导热系数之材质者。13.如申请专利范围第11项之半导体制造装置用晶圆保持体,其中于上述背面侧陶瓷基材与上述加热器之间形成中介层,且该中介层系导热系数为10W/mk以下之接合层者。14.如申请专利范围第13项之半导体制造装置用晶圆保持体,其中上述接合层之厚度,系在10m以上者。15.如申请专利范围第11项之半导体制造装置用晶圆保持体,其中之陶瓷基材系包含一种以上选自由氮化铝、氧化铝、氮化矽、及碳化矽所构成之群。16.如申请专利范围第11项之半导体制造装置用晶圆保持体,其中上述空隙部之厚度为0.01mm以上者。17.一种半导体制造装置用晶圆保持体,其系具有加热器与用以夹住该加热器之一对陶瓷基材,且具有隔着加热器互相面对面之晶圆保持面与背面,且自加热器偏背面侧之陶瓷具有较之自加热器偏晶圆保持面之部分为低的导热系数,在自加热器偏背面侧之部分形成有绝热层,且在加热器与晶圆保持体背面之间具有空隙部。18.如申请专利范围第17项之半导体制造装置用晶圆保持体,其中上述背面侧陶瓷基材,系具有100W/mk以下之导热系数之材质者。19.如申请专利范围第17项之半导体制造装置用晶圆保持体,其中于上述背面侧陶瓷基材与上述加热器之间形成中介层,且该中介层系导热系数为10W/mk以下之接合层者。20.如申请专利范围第19项之半导体制造装置用晶圆保持体,其中上述接合层之厚度,系在10m以上者。21.如申请专利范围第17项之半导体制造装置用晶圆保持体,其中之陶瓷基材系包含一种以上选自由氮化铝、氧化铝、氮化矽、及碳化矽所构成之群。22.如申请专利范围第17项之半导体制造装置用晶圆保持体,其中上述空隙部之厚度为0.01mm以上者。图式简单说明:图1系概略显示本发明一实施形态中具有晶圆保持体之半导体制造装置之结构剖面图。图2系概略显示本发明一实施形态中晶圆保持体之结构剖面图。图3系用以说明加热器之下侧结构具有与上侧结构大致相同外形之斜视图。图4系概略显示设有空隙部之晶圆保持体之结构剖面图。图5系概略显示设有空隙部之晶圆保持体之结构剖面图。图6系概略显示设有空隙部之晶圆保持体之结构剖面图。图7系概略显示导电层系由加热器与其他导电层之双层构成的晶圆保持体之结构剖面图。图8系概略显示在导电层系由加热器与其他导电层之双层构成的晶圆保持体中设有空隙部之结构剖面图。图9系概略显示导电层系由单层加热器构成的晶圆保持体之结构剖面图。图10系概略显示在导电层系由单层加热器构成的晶圆保持体中设有空隙部之结构剖面图。之结构剖面图。图11系显示本实施形态之晶圆保持体适用于不具有电浆产生用电极之半导体制造装置的情形之概略剖面图。