发明名称 利用电子束曝光系统检视罩幕且不需独立安装其他罩幕检视装置之罩幕检视装置和罩幕检视方法
摘要 一种用以于半导体工厂用中自动控制半导体制造程序之方法,包含以下步骤:a)接收一区段规格资料及一区段程序资料;b)比较区段规格资料及区段程序资料,以决定区段规格资料与区段程序资料间之差,是否在预设之范围内;c)如区段规格资料及区段程序资料间之差,超过或低于预设范围,即产生一第一讯息以表示一不正常制造区段之出现;d)产生第一处理以响应第一讯息,第一处理表示区段为不正常制造;及e)储存第一处理于储存单元,使不正常制造区段之下一区段程序得以避免。
申请公布号 TW475231 申请公布日期 2002.02.01
申请号 TW089124630 申请日期 2000.11.21
申请人 电气股份有限公司 发明人 小日向秀夫
分类号 H01L21/66 主分类号 H01L21/66
代理机构 代理人 洪澄文 台北巿信义路四段二七九号三楼
主权项 1.一种罩幕检视方法,包括:(a)提供一用于配合一罩幕将晶圆图案化的电子束曝光系统;(b)从该电子束曝光系统发射电子至该罩幕;(c)检测该发射的电子中穿过该罩幕的电子;(d)根据(c)的检测结果检视该罩幕上的缺陷。2.如申请专利范围第1项之罩幕检视方法,其中,(b)被执行以使得从该电子束曝光系统发射的该电子不会射至该晶圆。3.如申请专利范围第1项之罩幕检视方法,更包括:(e)当(d)的结果为该罩幕没有缺陷,经由使用该电子束曝光系统透过用以图案化的罩幕对该晶圆进行曝光。4.如申请专利范围第3项之罩幕检视方法,其中,在(b)中该电子以使得(e)被执行的方式从该电子束曝光系统被发射。5.如申请专利范围第1项之罩幕检视方法,更包括:(f)提供指示该罩幕之参考图案的参考图案资料;及(g)计算面积率,其为包含于对应该参考图案资料之该罩幕的检视区域的部分资料中之黑色图案与白色图案的比率,且其中(d)包括根据(c)的该检测结果及该面积率,检视罩幕缺陷。6.如申请专利范围第1项之罩幕检视方法,其中,(c)包括检测通过该罩幕之该电子的强度,且该罩幕检视方法更包括:(h)提供指示该罩幕之参考图案的参考图案资料;及(i)计算面积率,其为包含于对应该参考图案资料之该罩幕的检视区域的部分资料中之黑色图案与白色图案的比率,且其中(d)包括根据该电子强度及该面积率,检视该罩幕缺陷。7.如申请专利范围第6项之罩幕检视方法,更包括:(j)计算指示该电子强度与该参考图案间之关系的修正値,且其中(d)包括根据该电子强度、该修正値与该面积率,检视该罩幕缺陷。8.如申请专利范围第1项至第7项中的任一项之罩幕检视方法,其中,(c)系由一电子检测器执行,且其中该电子检测器可自动从该电子检测器掩蔽该晶圆使得通过该罩幕的该电子不会被射至该晶圆处的位置,移动至该电子检测器不掩蔽该晶圆使得通过该罩幕的该电子会被射至该晶圆处的另一位置。9.如申请专利范围第8项之罩幕检视方法,其中,(c)包括检测通过该罩幕的该电子,以检测当该电子输入至该电子检测器时在该电子检测器中之位置与该输入电子的强度。10.如申请专利范围第8项之罩幕检视方法,其中,该电子检测器包括复数个排列成阵列的二极体。11.如申请专利范围第8项之罩幕检视方法,其中,该电子检测器包括复数个排列成格状的二极体。12.如申请专利范围第8项之罩幕检视方法,更包括:(k)提供一MCP(微通道板),其在电子检测器与罩幕间的位置上具有复数个孔;及(l)施加一电压至该MCP上,且其中(c)包括检测当该电子输入至该MCP时在该MCP中的位置以及该输入电子的强度。13.一种罩幕检视装置,包括:一电子束曝光系统,用以利用罩幕将一晶圆图案化,该电子束曝光系统发射电子至该罩幕;一电子检测器,检测该发射的电子中通过该罩幕的电子;及一检视单元,根据该电子检测器的检测结果,检视该罩幕缺陷。14.如申请专利范围第13项之罩幕检视装置,其中,当该电子检测器检测通过该罩幕的该电子时,从该电子束曝光系统发射出的该电子不会射至该晶圆。15.如申请专利范围第13项之罩幕检视装置,其中,当该检视单元检视的结果为该罩幕没有缺陷时,该电子束曝光系统经由用以图案化的该罩幕对该晶圆进行曝光。16.如申请专利范围第15项之罩幕检视装置,其中,当该电子检测器检测通过该罩幕的该电子时,该电子束曝光系统以使得该电子束曝光系统经由用以图案化的该罩幕对该晶圆进行曝光的方式发射该电子。17.如申请专利范围第13项之罩幕检视装置,其中,该检视单元储存指示该罩幕之参考图案的参考图案资料,并计算面积率,其为包含于该对应参考图案资料之该罩幕的检视区域的部分资料中之黑色图案与白色图案的比率,且其中,该检视单元根据该电子检测器的该检测结果及该面积率,检视该罩幕缺陷。18.如申请专利范围第13项之罩幕检视装置,其中,该电子检测器检测通过该罩幕的该电子的强度,且其中,该检视单元储存指示该罩幕之参考图案的参考图案资料,并计算面积率,其为包含于对应该参考图案资料之该罩幕的检视区域的部分资料中之黑色图案与白色图案的比率,且其中,该检视单元根据该电子强度及该面积率,检视该罩幕缺陷。19.如申请专利范围第18项之罩幕检视装置,其中,该检视单元计算指示该电子强度与该参考图案间之关系的一修正値,且其中,该检视单元根据该电子强度、该修正値与该面积率,检视该罩幕缺陷。20.如申请专利范围第13项至第19项中的任一项之罩幕检视装置,其中,该电子检测器可自动从该电子检测器掩蔽该晶圆使得通过该罩幕的该电子不会被射至该晶圆处的位置,移动至该电子检测器不掩蔽该晶圆使得通过该罩幕的该电子会被射至该晶圆处的其他位置。21.如申请专利范围第13项之罩幕检视装置,其中,该电子检测器检测通过该罩幕的该电子,以检测当该电子输入至该电子检测器时在该电子检测器中之位置与该输入电子的强度。22.如申请专利范围第13项之罩幕检视装置,其中,该电子检测器包括复数个排列成阵列的二极体。23.如申请专利范围第13项之罩幕检视装置,其中,该电子检测器包括复数个排列成格状的二极体。24.如申请专利范围第13项之罩幕检视装置,更包括:一MCP(微通道板),其在该电子检测器与该罩幕间的位置上具有复数个孔,一电压,被施加至该MCP上,且其中,该MCP检测当该电子输入至该MCP时在该MCP中的位置以及该输入电子的强度。图式简单说明:第1图系显示一传统罩幕检视装置之配置的前视图;第2图系显示一本发明之一实施例的置幕检视装置之配置的前视图;第3图系第2图之罩幕检视装置的透视图;第4A图系显示包含于第2图之罩幕检视装置中的电子检测器之配置的透视图;第4B图系显示包含于第2图之罩幕检视装置中的电子检测器之配置的剖面图;第5图系用以说明在包含于第2图之罩幕检视装置中的电子检测器之每一个二极体上的电流检测操作之示意图。第6图系显示在本发明之一实施例的罩幕检视方法中之演算法的流程图;第7A图系显示包含于第2图之罩幕检视装置中的电子检测器之配置的另一个例子的透视图;第7B图系显示使用于第2图之置幕检视装置中的MCP的透视图。
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