| 主权项 |
2.如申请专利范围第1项之铁电记忆体装置,其中该铁电薄膜系形成为使该第一电压等于容许该铁电薄膜维持充分极化之电压范围内的最小値。3.如申请专利范围第1项之铁电记忆体装置,其中该第一电压是设定为该外部电源供应器电压之预定电压范围内的最小値。4.如申请专利范围第1项之铁电记忆体装置,另外包括:一第二驱动电路,选择性地供应第二电压及接地电位至该单元电晶体的闸极;及一升压电路,将该第一电压提升至该第二电压。5.如申请专利范围第1项之铁电记忆体装置,其中该第一电压包括一定电压。6.如申请专利范围第3项之铁电记忆体装置,另外包括:一第二驱动电路,选择性地供应第二电压及接地电位至该单元电晶体的闸极;及一升压电路,将该第一电压提升至该第二电压。7.一种铁电记忆体装置包括:一铁电电容器,包含:一层铁电薄膜;及第一及第二电容性电极,中间夹着该层铁电薄膜;及预定电压施加装置,用以施加预定电压至该铁电电容器,使得该铁电电容器保持极化,藉以储存资料;该铁电薄膜系形成为使其矫顽电压小于施加在该第一电容性电极和该第二电容性电极间的一降低电压,该降低电压是藉由将供应在预定电压范围内之外部电源供应器电压予以降低而产生。8.如申请专利范围第7项之铁电记忆体装置,其中铁电薄膜系形成为使其降低电压等于容许该铁电薄膜维持充分极化之电压范围内的最小値。9.如申请专利范围第7项之铁电记忆体装置,其中该降低电压是设定为该外部电源供应器电压之预定电压范围内的最小値。10.一种铁电记忆体装置的制造方法,用以依据施加预定电压至一铁电电容器时所产生之残余极化而储存资料,该铁电电容器包含:一层铁电薄膜;及第一及第二电容性电极,中间夹着该层铁电薄膜;该铁电记忆体装置的制造方法包括如下步骤:形成该铁电薄膜,使其矫顽电压小于施加在该第一电容性电极和该第二电容性电极间的降低电压,而该降低电压系藉由将供应在预定电压范围内之外部电源供应器电压予以降低而产生。11.如申请专利范围第10项之铁电记忆体装置的制造方法,其中该铁电薄膜系形成为使其降低电压等于容许该铁电薄膜维持充分极化之电压范围内的最小値。图式简单说明:图1为依据本发明之第一实施例,铁电记忆体装置之记忆体单元阵列电路图;图1A为铁电电容器之横剖面图;图2为施加电压至图1所示之铁电记忆体装置之设备方块图;图3为铁电电容器之极化(P)-施加电压(V)曲线图,其迟滞现象并没有被施加电压所饱和;图4为铁电电容器之极化(P)-施加电压(V)曲线图,其迟滞现象因施加电压而饱和;图5为说明图1所示之铁电记忆体装置之操作时脉图;图6为依据本发明之第二实施例的铁电记忆体装置之记忆体单元阵列电路图;及图7为说明图6所示之铁电记忆体装置操作时之资料读取周期的时脉图。 |
