| 主权项 |
1.一种模组化测试头,包含:一第一设备,该第一设备具有复数个测试装置;一第二设备,用以对该第一设备提供测试讯号;以及一第三设备,用以悬吊该第一设备和该第二设备。2.如申请专利范围第1项所述之模组化测试头,其中该些测试装置包括复数个薄膜凸块(bumps)。3.如申请专利范围第2项所述之模组化测试头,其中该第一设备包括复数个缓冲垫分别配置在每个该些薄膜凸块上。4.如申请专利范围第1项所述之模组化测试头,其中该第三设备包括弹簧。5.如申请专利范围第1项所述之模组化测试头,其中该第三设备具有一螺丝(screw)。6.如申请专利范围第4项所述之模组化测试头,其中该第三设备包括一第一悬吊座、一第二悬吊座及一第三悬吊座由下而上依序排列。7.如申请专利范围第6项所述之模组化测试头,其中该弹簧配置在该第二悬吊座与该第三悬吊座之间。8.如申请专利范围第6项所述之模组化测试头,其中该第三设备包括一套盖装置,配置在该第一设备和该第二设备上。9.如申请专利范围第1项所述之模组化测试头,其中该第二设备包括一驱动积体电路装置(Driver IC)。10.如申请专利范围第1项所述之模组化测试头,更包括一电路连接装置,用以电性连接该第一设备与第二设备。11.如申请专利范围第1项所述之模组化测试头,更包括一软板电路总成,电性连接该第二设备。12.一种测试总成,包含下列元件:一电路装置,该电路装置具有复数个测试装置;一驱动积体电路装置(Driver IC),电性连接该电路装置;一软板电路总成,电性连接该驱动积体电路装置;以及一悬吊总成(suspension unit),配置在该电路装置与该驱动积体电路装置上。13.如申请专利范围第12项所述之测试总成,其中该些第1试装置包括复数个薄膜凸块(bumps)。14.如申请专利范围第13项所述之测试总成,其中该电路装置包括复数个缓冲垫分别配置在每个该些薄膜凸块上。15.如申请专利范围第11项所述之测试总成,其中该悬吊总成包括弹簧。16.如申请专利范围第11项所述之测试总成,其中该悬吊总成具有一螺丝(screw)。17.一种测试装置的制造方法,包括下列步骤:提供一基板;在该基板上涂布一层高分子膜;一该高分子膜定义出复数个缓冲垫;在该基板和该些缓冲垫上形成形成金属线路;以及在该金属线路上形成金属凸块。18.一种界面转接板的制造方法,包括下列步骤:提供一基板;在该基板上形成高分子膜;在该高分子膜上形成一层金属层;在该金属层上形成一层光阻图案;以及在未被该光阻图案覆盖之该金属层上成长出金属线路。19.一种高密度转接线的制造方法,包括下列步骤:提供一基板;以旋转涂布的方式在该基板上涂布一层高分子膜;对该高分子膜进行高温烧结及旋转涂布;利用曝光显影技术将该高分子膜定义出复数个缓冲垫;对该基板进行高温烧烤;以溅镀的方式在该基板和该些缓冲垫上形成一层金属导电层;以微影技术定义该金属导电层,以在该基板和该些缓冲垫上形成导线图案;以电镀方式在该导电图案上形成金属线路;以微影技术在该金属线路上定义出凸块(bump)图案;以及以电镀方式形成金属凸块。图式简单说明:第一图绘示传统的一种探针总成示意图;第二图绘示传统探针的放大示意图;第三图绘示根据本发明实施例,一种模组化测试头的立体示意图;第四图绘示根据本发明实施例,一种测试头的爆炸示意图;第五A图至第五B图绘示根据本发明实施例,一种第一高密度转接线(High Density Interconnection;HDI)装置的制程流程剖面示意图;第六A图至第六B图绘示根据本发明实施例,一种第二HDI装置的制程流程剖面示意图;以及第七图绘示根据本发明实施例,一种测试头的剖面示意图。 |
