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1.一种用于半导体制程中的浅沟隔离(shallow trenchisolation)方法,用来将一半导体晶片表面各元件间的浅沟填入一介电材料以产生电性隔离的效果,该方法包含有下列步骤:(1)于该半导体晶片之基底(substrate)表面形成一包含有复数个孔洞之光阻层;(2)经由该光阻层之各个孔洞对该基底表面进行等向性蚀刻,以使每一孔洞下之基底表面形成一口径比该孔洞大之浅坑;(3)经由该光阻层之各个孔洞对该浅坑底部之中央部位向下进行非等向性蚀刻以使该浅坑底部之中央部位形成一口径与该孔洞相似之凹槽,该光阻层之各个孔洞下之浅坑以及凹槽即构成一浅沟;(4)去除该光阻层;以及(5)于每一浅沟内填入该介电材料以产生电性隔离的效果。2.如申请专利范围第1项之方法,其中该介电材料系为二氧化矽。3.如申请专利范围第1项之方法,其中该基底系以矽为主要元素所构成。4.如申请专利范围第3项之方法,其中于去除该光阻层之后,该方法另包含有一含氧之热处理制程,用来于各个浅沟表面形成一二氧化矽(silicon dioxide, SiO2)层。5.如申请专利范围第4项之方法,其中该介电材料系以下列步骤填入各个浅沟之内:利用一化学沉积法(chemical vapor deposition)于该半导体晶片表面沉积该介电材料以形成一介电材料层;以及利用一化学机械研磨法(chemical mechanical polishing)对该半导体晶片表面之介电材料层进行研磨,使填入于各个浅沟内之介电材料层的表面与该基底表面约略切齐。图式简单说明:图一至图三为习知半导体制程中的浅沟隔离方法的示意图。图四至图十为本发明用于半导体制程中的浅沟方法的示意图。 |
