| 摘要 |
<p>본 발명은 플라즈마에 의한 질화알루미늄 형성 방법 및 그 장치에 관한 것으로서, 알루미늄 또는 알루미늄합금의 표면에 형성되어 있는 산화알루미늄층 및 질화되지 않은 알루미늄 소재층이 질화알루미늄의 형성을 억제하는 문제를 해결함은 물론, 표면 접착력이 우수하고, 알루미늄 또는 알루미늄합금의 표면으로부터 내부로 수 미크론 이상의 두께를 갖는 질화알루미늄층을 형성시킬 수 있도록 함에 그 목적이 있다. 이를 위해 본 발명은 진공상태의 챔버 내에 질소가스의 주입과 수십 KV 이상의 펄스형 음전압을 인가하여 질소 플라즈마에 의한 질소이온을 시료의 내부에 주입시켜 질화알루미늄층을 형성시킨 후 챔버 내부를 진공화 하는 한편, 불활성가스의 주입과 수 KV 이하의 펄스형 음전압을 인가하여 불활성가스 플라즈마에 의한 불활성가스 이온의 스퍼터링 작용으로 시료의 산화알루미늄층과 질화되지 않은 알루미늄 소재층을 제거한 후 불활성가스와 질소의 공급을 중단한 상태에서 질소가스의 주입과 수 KV 이하의 펄스형 음전압을 인가하여 시료의 내부에 형성된 질화알루미늄층을 성장시키는 구성으로 이루어진다.</p> |
