| 摘要 |
<p>본 발명은 반도체 제조공정중 CVD(chemical vafor diffusion),메탈에칭(metal etching), 확산로(diffusion furnace) 등의 공정장비에서 공정작업후 배기관으로 배출되는 반도체용 가스를 적정온도로 가열시킴으로서 배기관 내에 분말입자가 축적되는 것을 방지하기 위한 것으로, 본 발명은 배기관(200a,200b)과 동일한 직경의 케이스(510)에 열선(520)이 내장된 전기히터(500)를 구비하여 상기 열선(520)이 상기 배기관(200a,200b)의 통로에 위치하도록 상기 케이스(510)를 상기 배기관(200a,200b)에 직결함으로서 진공배기라인에 필요한 진공도를 유지할 수 있을 뿐만 아니라 배기가스를 직접적으로 가열시키는 구조로 되어 있으므로 열효율이 상승되는 장점이 있다.</p> |
