| 摘要 |
<p>본 발명은 미세 크기의 콘택홀에 대해 낮은 콘택 저항을 구현할 수 있는 반도체 소자의 제조방법에 관한 것으로, 본 발명의 반도체 소자의 제조방법은, 게이트 전극들이 형성되고, 상기 게이트 전극들을 덮도록, 층간절연막이 형성된 반도체 기판을 제공하는 단계; 상기 층간절연막의 소정 부분을 식각하여, 상기 반도체 기판을 노출시키는 미세 폭의 콘택홀을 형성하는 단계; 상기 콘택홀의 측벽에 금속 재질의 스페이서를 형성하는 단계; 및 상기 금속 재질의 스페이서가 형성된 콘택홀 내에 콘택 레이어를 형성하는 단계를 포함하여 이루어진다.</p> |
