| 摘要 |
<p>본 발명은 반도체 소자의 제조 방법에 관한 것으로, 층간 절연막 상에 형성된 연결 배선이 후속 열처리 공정에 의하여 이동되어 금속 전극과 쇼트 되는 것을 방지하기 위한 방법에 관한 것이다. 본 발명의 반도체 소자의 제조 방법은 반도체 기판 상에 트랜지스터를 형성하는 단계와, 상기 트랜지스터가 덮이도록 기판 상에 제 1 층간 절연막과 식각 배리어막, 제 1 산화막을 차례로 형성하는 단계와, 상기 제 1 산화막과 식각 배리어막을 일정 부분 식각하여 게이트 전극의 상부에만 남도록 패터닝하는 단계와, 상기 제 1 산화막 및 식각 배리어막이 덮이도록 제 2 층간 절연막 및 제 2 산화막을 차례로 형성하는 단계와, 상기 식각 배리어막이 노출되도록 제 2 산화막과 제 2 층간 절연막, 제 1 산화막을 일정 부분 식각하여 콘택홀을 형성하는 단계와, 상기 콘택홀에 매립되도록 연결 배선용 도전막을 증착한 후에 콘택홀에 매립된 부분만을 남기고 식각하여 연결 배선을 형성하는 단계와, 상기 제 2 산화막과 연결 배선 상부에 제 3 층간 절연막을 증착한 후에 반도체 기판과 접촉되도록 금속 전극을 형성하는 단계를 포함한다.</p> |
