| 主权项 |
1.一种具有内建电感元件之晶片结构,至少包括:一基底,该基底上具有一主动区域与一栅状结构之场氧元件,该栅状结构之场氧元件系由复数个配置于该基底上之场氧化层、复数个配置于该些场氧化层下方该基底的第一型离子掺杂区域,以及复数个配置于该些场氧化层间该基底的第二型离子掺杂区域所构成,其中,该些第一型离子掺杂区域与该些第二型离子掺杂区域之间会形成复数个接合区域,可以阻断该基底中之寄生损失电流;复数个主动元件配置于该主动区域上;一介电层配置于该基底上用以覆盖于该些主动元件以及该场氧元件上方;以及一电感元件,该电感元件配置于该场氧元件上之该介电层上。2.如申请专利范围第1项所述之具有内建电感元件之晶片结构,其中该基底包括矽基底。3.如申请专利范围第1项所述之具有内建电感元件之晶片结构,其中当该些第一型离子掺杂区域系为p型掺杂,该些第二型离子掺杂区域为n型掺杂。4.如申请专利范围第1项所述之具有内建电感元件之晶片结构,其中当该些第一型离子掺杂区域系为n型掺杂,该些第二型离子掺杂区域为p型掺杂。5.如申请专利范围第1项所述之具有内建电感元件之晶片结构,其中该些场氧化层系彼此平行的配置于该基底上,以形成该栅状结构。6.如申请专利范围第1项所述之具有内建电感元件之晶片结构,其中该些第一型离子掺杂区域与该第二型离子掺杂区域包括以一离子植入步骤形成。7.如申请专利范围第6项所述之具有内建感元件之晶片结构,其中该离子植入步骤之后更包括一回火的步骤。8.一种阻断电感元件的寄生损失电流之结构,适用于一具有内建电感元件之晶片上,配置于电感元件下方并藉由一介电层与该电感元件电性隔离,该阻断电感元件的寄生损失电流之结构至少包括:一基底,该基底上具有一主动区域与一隔离区域;复数个场氧化层,该些场氧化层平行配置于该基底之该隔离区域上,以形成一栅状结构;复数个第一型离子掺杂区域,该些第一型离子掺杂区域配置于该些场氧化层下方之该基底中;以及复数个第二型离子掺杂区域,该些第二型离子掺杂区域配置于该些场氧化层之间的该基底中,且该些第一型离子掺杂区域与该些第二型离子掺杂区域之间会形成复数个接合区域,以阻断该基底中之该寄生损失电流。9.如申请专利范围第8项所述之阻断电感元件的寄生损失电流之结构,其中该基底包括矽基底。10.如申请专利范围第8项所述之阻断电感元件的寄生损失电流之结构,其中当该些第一型离子掺杂区域系为p型掺杂,该些地二型离子掺杂区域为n型掺杂。11.如申请专利范围第8项所述之阻断电感元件的寄生损失电流之结构,其中当该些第一型离子掺杂区域系为n型掺杂,该些地二型离子掺杂区域为p型掺杂。12.如申请专利范围第8项所述之阻断电感元件的寄生损失电流之结构,其中该些第一型离子掺杂区域与该些第二型离子掺杂区域包括以一离子植入步骤形成。13.如申请专利范围第12项所述之阻断电感元件的寄生损失电流之结构,其中该离子植入步骤之后更包括一回火的步骤。图式简单说明:第1图绘示为习知具有内建电感元件矽晶片之剖面示意图;第2图绘示为依照本发明一较佳实施例具有内建电感元件晶片之剖面示意图;以及第3图绘示为依照本发明一较佳实施例具有内建电感元件晶片之俯视示意图。 |
