奈米碳管发射源场发射效率之增强方法

摘要

一种增强奈米碳管场发射电流密度之方法，至少包含以下步骤：首先网印奈米碳管浆料于阴极基板之阴极导电区上，以形成复数个奈米碳管层像素区块。接着，对阴极基1板施以低温(约50-200℃)软烤处理，以去除挥发性溶剂。接着，再对阴极基板施以350至550℃烧结处理；及最后利用一表面处理附着性胶膜(Surfacetreatment adhesion fi1m)，将其紧密贴合于阴极基板后即剥离除去之，以去除烧结后存在CNT层表面上之粘结性松散的奈米碳管及拉起粘结性强但平躺在表面上的CNT使其具有垂直于电子发射层的方向性。利用本发明可以有效的增加垂直裸露于 CNT emitter layer上之奈米碳管数目及密度，进而提升场发射之电流密度，且其均匀度及亮度亦有显着改善。

主权项

1.一种增强奈米碳管场发射电流密度之方法,该方法至少包含:网印奈米碳管浆料于具有复数个阴极导电区之阴极基板上,以形成复数个奈米碳管层像素区块;对阴极基板施以软烤处理;对阴极基板施以烧结处理;及贴附一第一表面处理胶膜于该阴极基板上并剥离之,用以去除附着性不佳的表层物质。2.如申请专利范围第1项之方法,在阴极基板施以软烤处理步骤后更包含贴附一第二表面处理胶膜于该阴极基板上并除去之,以进一步提高相同电场下的电流密度。3.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之第一及第二表面处理胶膜至少包含利用压膜机(laminator)将该胶膜贴附于阴极基板上。4.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之贴附第一及第二表面处理胶膜的步骤系包含以刮刀刮平之(printing)、压板整面压模(pressure plate)等方法。5.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之除去表面物系利用胶膜的物理或静电吸附特性的其中之一或其混合以进行去除。6.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之表面处理胶膜至少包含具粘着性材料的胶膜。7.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之表面处理胶膜至少包含具静电吸附性的胶膜。8.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之软烤处理系在50-200℃进行。9.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之烧结处理系在350-550℃进行。图式简单说明:图一显示奈米碳管场发射显示器之阴极结构的示意图。图二显示比较未进行taping表面处理和施以taping后,两者在电性上的差异。图三显示奈米碳管结构经烧结处理但未经taping后之一像素以扫瞄式电子显微镜观察的横截面图。图四显示奈米碳管结构经烧结处理且经taping后之一像素以扫瞄式电子显微镜观察的横截面图。