| 主权项 |
1.一种以光学方式测量会振动并且较佳是结构化薄膜(4)之方法,此薄膜是曝露于气流及/或声音激发的环境中,在其中一测量薄膜的装置聚焦于其上,其特征为:提供一种光学上透明的箔(5)并且须配置此箔与薄膜,使得对于薄膜之气流及/或声音的激发只有经由箔才能达成。2.如申请专利范围第1项之方法,其中此薄膜是设置于一对于气流及/或声音不透过的底板(3)之上,并且以箔覆盖,因此其由此底板与箔所包围。3.如申请专利范围第1或2项之方法,其中此在薄膜下的底板具有一封闭不会振动的平面。4.如申请专利范围第1或2项之方法,其中此箔在基本上是由硝化纤维素所构成。5.如申请专利范围第3项之方法,其中此箔在基本上是由硝化纤维素所构成。6.如申请专利范围第1或2项之方法,其中此箔的厚度是少于5微米(m)。7.如申请专利范围第3项之方法,其中此箔的厚度是少于5微米(m)。8.如申请专利范围第4项之方法,其中此箔的厚度是少于5微米(m)。9.如申请专利范围第1或2项之方法,其中此箔是软片(pellicle)(2)。10.如申请专利范围第4项之方法,其中此箔是软片(pellicle)(2)。11.如申请专利范围第6项之方法,其中此箔是软片(pellicle)(2)。12.如申请专利范围第1或2项之方法,其中此薄膜是图案遮罩(1)。13.如申请专利范围第6项之方法,其中此薄膜是图案遮罩(1)。14.如申请专利范围第9项之方法,其中此薄膜是图案遮罩(1)。15.如申请专利范围第12项之方法,其中此图案遮罩在基本上是由矽所构成。16.如申请专利范围第1或2项之方法,其中此薄膜水平置放测量其薄膜结构之侧向位置偏移。17.如申请专利范围第12项之方法,其中此薄膜水平置放测量其薄膜结构之侧向位置偏移。18.如申请专利范围第15项之方法,其中此薄膜水平置放测量其薄膜结构之侧向位置偏移。19.如申请专利范围第1或2项之方法,其中使用此用于测量彩色遮罩或结实半导体基板的装置作为测量薄膜的装置。20.如申请专利范围第9项之方法,其中使用此用于测量彩色遮罩或结实半导体基板的装置作为测量薄膜的装置。21.如申请专利范围第16项之方法,其中使用此用于测量彩色遮罩或结实半导体基板的装置作为测量薄膜的装置。22.如申请专利范围第16项之方法,其中使用软片(2)用于抑制及/或屏蔽气流及/或声音的激发。图式简单说明:第1与2图以概要图式说明显示一薄膜之横向偏移,其具有或没有一个设置于薄膜之上的软片而被测量。第3图以概要图式说明显示在一基板上薄膜与软片配置。 |
