| 主权项 |
1.一种包含用于半导体晶圆表面之修蚀的含氟化学剂的固定研磨物,其包含:(a)一种组织化三维研磨复合材,该复合材包含许多固定与分散于一黏结剂中的研磨颗粒,该复合材提供固定研磨物之外露主要表面;(b)至少一种结合研磨复合材的含氟化学剂;(c)一个与研磨复合材共延的衬背。2.根据申请专利范围第1项之物件,其中至少一种含氟化学剂系选自含氟化学物丙烯酸酯类、含氟化学物甲基丙烯酸醯类、含氟化学物环氧类、含氟化学物矽甲烷类、含氟化学物异氰酸酯类、含氟化学物羧酸类及其盐类与醯胺类、含氟化学物磺酸类及其盐类与醯胺类、含氟化学物磷酸盐酯类、含氟化学物醇类、含氟化学物聚醚油类、含氟化学物烷蜡类、含氟化学物醚类、含氟化学物酯类、含氟化学物胺基甲酸酯类、含氟化学物醯胺类、含氟化学物热塑性塑胶类、含氟化学物热塑性共聚物类、及含氟化学物弹性体类。3.一种研磨构造,其包含:(a)一包括一组织化三维研磨复合材的固定研磨物,该复合材包含许多固定与分散于一黏结剂中的研磨颗粒,其中研磨复合材提供固定研磨物之外露主要表面及至使有一种含氟化学剂结合研磨复合材;(b)至少一个通常共延于固定研磨物的弹性元件;以及(c)至少一个通常共延及插入弹性元件与固定研磨物之间的坚硬元件,其中坚硬元件具有大于弹性元件的杨氏模数。4.一种修蚀半导体晶圆之外露表面的方法,其包含如下的步骤:(a)以申请专利范围第1-2项之任一项之固定研磨物接触表面、(b)互相移动晶圆与固定研磨物以修蚀晶圆表面。5.根据申请专利范围第4项之方法,其中至少一种含氟化学剂系在含氟化学物结合研磨复合材之前分散于工作液体中。6.根据申请专利范围第4-5项之任一项之修蚀半导体晶圆表面之方法,其中从修蚀方法产生的噪音藉由含氟化学剂之结合研磨复合材而最小化。7.根据申请专利范围第4-5项之任一项之方法,其中晶圆之表面包含金属。8.一种修蚀半导体晶圆之外露表面的方法,其包含如下的步骤:(a)以申请专利范围第3项之固定研磨物接触表面、(b)互相移动晶圆与固定研磨物以修蚀晶圆表面。图式简单说明:图1系一部份第一固定研磨物之横截面图。图2系一部份第二固定研磨物之横截面图。图3系一部份研磨构造之横截面图。图4系用以修蚀半导体制造中使用的晶圆之表面的装置之概要侧视图。 |
