| 摘要 |
<p>본 고안은 게이트 절연 트랜지스터 모듈의 케이스에 대한 것으로 고안의 주된 목적은 게이트 절연 트랜지스터 모듈의 케이스를 형성하되, 그 구조를 개량하므로서 열변형을 줄이고, 복원력을 향상시키는데 있으며, 더 나가서 실리콘 겔의 누출을 예방할 수 있도록 하는데 있다. 이를 위한 주요 구성은 바닥에 게이트 절연 트랜지스터 모듈을 마련하고, 그 하반부에는 실리콘 겔을, 그 상반부에는 에폭시를 채워 경화시키는 케이스를 형성하되, 상기한 케이스의 내벽 중단에서 상향진 단턱을 마련하고, 상기한 단턱위에서 가로로 복수의 지지간을 형성하며, 상반부의 내면에는 수평방향으로 요홈을 형성하는데 있는 것이다.</p> |
