| 主权项 |
1.一种金属-绝缘体-金属电容器的制造方法,其中在内金属介电层中形成复数个金属内连线,包括下列步骤:形成一已图案化的光阻材料层在一内金属介电层上,其中该已图案化光阻材料层包括一开口,该开口暴露出该金属内连线;进行一回蚀刻步骤,使用该已图案化光阻材料层当作一蚀刻罩幕,在该金属内连线中,形成一凹处;去除该已图案化光阻材料层;形成一绝缘层在该内金属介电层上并覆盖其他金属内连线且部分填满该金属内连线的该凹处;形成一金属层在该绝缘层上并完全填满该金属内连线的该凹处;以及去除该金属层在该金属内连线的该凹处的该绝缘层上。2.如申请专利范围第1项所述之金属-绝缘体-金属电容器的制造方法,其中该金属内连线之材质包括铜内连线。3.如申请专利范围第1盾所述之金属-绝缘体-金属电容器的制造方法,其中该金属内连线之材质包括双重金属镶嵌内连线。4.如申请专利范围第3项所述之金属-绝缘体-金属电容器的制造方法,其由双重金属镶嵌内连线的形成方法,更包括一步骤:形成复数个开口在该内金属介电层内;形成一共形阻绝层并覆盖该内金属介电层与该开口;形成一传导层在该内金属介电层的表面,并覆盖该阻绝层且填满该开口,以及进行平坦化程序,用以去除部分在内金属界电层表面的阻绝层与传导层。5.如申请专利范围第4项所述之金属-绝缘体-金属电容器的制造方法,其中该传导层之材质包括溅镀沉积铜层。6.如申请专利范围第4项所述之金属-绝缘体-金属电容器的制造方法,其中该阻绝层之材质为氮化钛层、氮化钨层或氮化钽层。7.如申请专利范围第4项所述之金属-绝缘体-金属电容器的制造方法,其中该阻绝层的形成方法为物理气相沉积或化学气相沉积。8.如申请专利范围第1项所述之金属-绝缘体-金属电容器的制造方法,其中该绝缘层之材质包括溅镀沉积强诱电体材料。9.如申请专利范围第8项所述之金属-绝缘体-金属电容器的制造方法,其中该溅镀沉积强诱电体材料之材质仅能由PZT、PLZT、SBT与BS中选出。10.如申请专利范围第1项所述之金属-绝缘体-金属电容器的制造方法,其中该金属层之材质为白金、铱、氧化铱或钌。11.如申请专利范围第1项所述之金属-绝缘体-金属电容器的制造方法,其中该金属层形成的方法为溅镀沉积或物理气相沉积。12.如申请专利范围第1项所述之金属-绝缘体-金属电容器的制造方法,其中在该金属内连线凹处上,去除该绝缘层上的该金属层的方法为化学机械研磨法。13.如申请专利范围第12项所述之金属-绝缘体-金属电容器的制造方法,其中该化学机械研磨法,是使用该绝缘层当作一停止层,用以去除该金属内连线的该凹处上的该绝缘层上的该金属层。14.一种金属-绝缘体-金属电容器的制造方法,包括下列步骤:形成一双重金属镶嵌金属内连线在该内金属介电层上内;进行一回蚀刻步骤,在该双重金属镶嵌金属内连线中,用以形成一凹处在该金属内连线中;沉积一电容器绝缘层在该凹处内,并部分填满该凹处;以及以一金属层完全填满该凹处。15.如申请专利范围第14项所述之金属-绝缘体-金属电容器的制造方法,其中该电容器绝缘材料之材质包括溅镀沉积强诱电体材料。16.如申请专利范围第14项所述之金属-绝缘体-金属电容器的制造方法,其中该双重金属镶嵌金属内连线之材质包括铜内连线。17.如申请专利范围第14项所述之金属-绝缘体-金属电容器的制造方法,其中该金属层包括一电极金属层,其材质仅能由白金、钛、氧化铱或钌中选出。图式简单说明:第1A图至第1E图,是习知的金属-绝缘体-金属电容器之制造流程剖面图。第2A图至第2F图,是依照本发明较佳实施例的金属-绝缘体-金属电容器之制造流程剖面图。 |
