| 主权项 |
1.一种多晶矽薄膜之形成方法,其特征为;一基板在形成非晶矽薄膜后,对该非晶矽薄膜施以高周波加热而使其多晶化。2.依申请专利范围第1项所述之多晶矽薄膜之形成方法,其中该非晶矽薄膜系形成于该基板之其中一表面,而该表面系为高周波之加热面。3.依申请专利范围第2项所述之多晶矽薄膜之形成方法,其中基板在另一不具有非晶矽薄膜之表面形成一散热面。4.依申请专利范围第1项所述之多晶矽薄膜之形成方法,其中系以连续高周波移动加热该非晶矽薄膜。5.依申请专利范围第1项所述之多晶矽薄膜之形成方法,其中系在一气密室中对该非晶矽薄膜施以高周波加热。6.依申请专利范围第5项所述之多晶矽薄膜之形成方法,其中该气密室在加热时系维持在惰性、还原或中性气体流通之气氛下。7.依申请专利范围第5项所述之多晶矽薄膜之形成方法,其中系该气密室在加热时系维持在真空状态下。8.依申请专利范围第1项所述之多晶矽薄膜之形成方法,其中系在大气环境下对该非晶矽薄膜施以高周波加热。9.一种多晶矽薄膜之形成装置,其中该多晶矽薄膜系由在一基板上之非晶矽所形成,其包含有:一底座,用以承载具有矽薄膜之基板;及一加热装置,其设于底座之上并包含有一高周波加热线圈,而透过该高周波加热线圈感应加热该矽薄膜至多晶矽之形成温度。10.依申请专利范围第9项所述之多晶矽薄膜之形成装置,其另包含一移动装置,用以连结并移动该加热装置。11.依申请专利范围第9项所述之多晶矽薄膜之形成装置,其中该底座包含一控温装置。图式简单说明:第1图:系本发明多晶矽薄膜之形成装置之立体示意图;第2图:在本发明之多晶矽薄膜之形成装置中,其加热装置之剖面示意图;第3图:一种具有非晶矽薄膜之基板之示意图;及第4图:利用本发明之多晶矽薄膜之形成装置将一基板退火形成具有多晶矽薄膜之基板。 |
