| 主权项 |
1.一种选择性磊晶成长之方法,其包括下列步骤:在一半导体基底上形成一绝缘层图案,该绝缘层图案曝露该半导体基底之一预先设定区域;载入该具有绝缘层图案之半导体基底进入一反应腔之内部;在第一个工作周期引入一来源气体进入该腔内部以形成在该曝露出的半导体基底和该绝缘层图案上之一半导体层;在第二个工作周期引入一蚀刻气体进入该腔内部以选择性地除去在该绝缘层图案上之该半导体层;及在第三个工作周期引入一还原气体进入该腔内部以除去附着在该半导体层之表面上的蚀刻气体之原子,引入该来源气体,该蚀刻气体及该还原气体之步骤系重复地被实施至少二周期。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其更包括在进行引入该来源气体的步骤之前,增加一调整该腔内压力至10-8托耳或更低之步骤。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其更包括在进行引入该来源气体的步骤之前,增加一加热该半导体基底至450℃到800℃范围的温度之步骤。4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该半导体层系一矽层。5.如申请专利范围第4项所述之方法,其中该来源气体系一矽来源气体。6.如申请专利范围第5项所述之方法,其中该来源气体系一矽烷(SiH4)气体,一二矽烷(SiH6)气体或是一二氯矽烷(SiH2C12)气体。7.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该半导层系一锗层。8.如申请专利范围第7项所述之方法,其中该来源气体系一锗来源气体。9.如申请专利范围第8项所述之方法,其中该锗来源气体系-GeH4气体。10.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该半导层系一锗矽(Ge-Si)层。11.如申请专利范围第10项所述之方法,其中该来源气体包括一矽来源气体及一锗来源气体。12.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第一个工作周期系在8秒至12秒之范围内。13.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该蚀刻气体系一氯(Cl)气体。14.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第二个工作周期系在6秒至15秒之范围内。15.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该还原气体系一氢气体。16.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第三个工作周期系在6秒至15秒之范围内。17.如申请专利范围第1项所述之方法,其更包括引入一掺杂物气体进入该腔内部之步骤,该步骤为引入该来源气体,该蚀刻气体及该还原气体之三步骤中至少一步骤。18.如申请专利范围第17项所述之方法,其中该掺杂物气体为一磷化氢(PH3)气体,一二硼烷(B2H6)气体或是一砷化氢(AsH3)气体。图式简单说明:图1为根据本发明之用于解说一选择性磊晶成长的方法之一时间图表。图2为根据本发明之用于解说一选择性磊晶成长的方法之一制程的流程方块图。 |
