| 主权项 |
1.一种主动矩阵基板,系在基板上形成有电晶体及信号配线的主动矩阵基板;其特征在于:在上述基板上未形成有上述电晶体及上述信号配线之领域之至少1处,具备具和上述电晶体使用之半导体膜同层之膜质检测用半导体膜的膜质检测领域。2.如申请专利范围第1项之主动矩阵基板,其中上述膜质检测用半导体膜,系由和较上述电晶体更上层形成之层间绝缘膜同层之检测领域侧层间绝缘膜上形成的开口部露出。3.如申请专利范围第1或2项之主动矩阵基板,其中上述膜质检测用半导体膜,系和上述电晶体之源.汲极领域同层,且和该源.汲极领域以同一浓度导入同一杂质。4.如申请专利范围第1或2项之主动矩阵基板,其中上述电晶体之源.汲极领域系具低浓度源.汲极领域及高浓度源.汲极领域;上膜质检测用半导体膜,系和上述低浓度源.汲极领域及高浓度源.汲极领域中之任一方之源.汲极领域同层且和该源.汲极领域以同一浓度导入同一杂质。5.如申请专利范围第1或2项之主动矩阵基板,其中上述电晶体之源.汲极领域系具低浓度源.汲极领域及高浓度源.汲极领域;上膜质检测用半导体膜,系具有:和上述低浓度源.汲极领域同层,且和该低浓度源.汲极领域以同一浓度导入同一杂质的第1膜质检测用半导体膜;及和上述高浓度源.汲极领域同层,且和该高浓度源.汲极领域以同一浓度导入同一杂质的第2膜质检测用半导体膜。6.如申请专利范围第1或2项之主动矩阵基板,其中上述膜质检测领域,系具较上述电晶体之源.汲极领域大之面积。7.如申请专利范围第1或2项之主动矩阵基板,其中上述膜质检测用半导体膜,系和上述电晶体之通道领域同层,且和该通道领域为同一本质之半导体膜或以同一浓度导入同一杂质之通道掺杂之低浓度领域。8.如申请专利范围第1项之主动矩阵基板,其中上述膜质检测用半导体膜,系和上述电晶体之通道领域同层,且和该通道领域为同一本质之半导体膜或以同一浓度导入同一杂质之通道掺杂之低浓度领域;上述膜质检测领域,系在上述膜质检测用半导体膜表面具和上述电晶体之闸极绝缘膜同层的膜质检测用闸极绝缘膜。9.如申请专利范围第8项之主动矩阵基板,其中上述膜质检测用闸极绝缘膜,系由和较上述电晶体更上层形成之层间绝缘膜同层的检测领域侧闸极绝缘膜上形成之开口部露出。10.如申请专利范围第1.2.8或9项中任一项之主动矩阵基板,其中上述膜质检测领域,系具较上述电晶体之通道领域大之面积。11.如申请专利范围第1.2.8或9项中任一项之主动矩阵基板,其中上述膜质检测领域,系具1mm2以上面积。12.如申请专利范围第2或第9项之主动矩阵基板,其中上述膜质检测用半导体膜,系形成于包含上述开口部之形成领域的领域。13.如申请专利范围第2或第9项之主动矩阵基板,其中上述膜质检测用半导体膜,系形成于上述开口部内侧。14.如申请专利范围第1.2.8或9项中任一项之主动矩阵基板,其中上述电晶体系薄膜电晶体;在上述基板上形成有:形成有电连接该薄膜电晶体之闸极的扫描线,及电连接薄膜电晶体之源极领域的资料线,及连接薄膜电晶体之汲极领域的画素电极之影像显示领域;由较上述影像显示领域更外周侧领域对上述扫描线及资料线输出信号的扫描线驱动电路及资料线驱动电路;及对该驱动电路供给信号的多数信号配线;上述膜质检测领域,系形成在上述基板上之上述影像显示领域、资料线驱动电路、扫描线驱动电路及信号配线未形成之领域之至少1处。15.一种光电装置,其特征为在主动矩阵基板,与对向基板之间挟持有光电物质者,该主动矩阵基板,系在基板上形成有电晶体及信号配线的主动矩阵基板,在上述基板上未形成有上述电晶体及上述信号配线之领域之至少1处,具备具和上述电晶体使用之半导体膜同层之膜质检测用半导体膜的膜质检测领域。16.一种主动矩阵基板之制造方法,系申请专利范围第3项之主动矩阵基板之制造方法,其特征为至少具有:依序形成上述电晶体使用之半导体膜及闸极绝缘膜之同时,对应上述膜质检测领域之领域依序形成上述膜质检测用半导体膜及检测领域侧闸极绝缘膜的工程;形成上述电晶体之闸极形成用导电膜后,对该导电膜施以图型化俾形成上述闸极之同时,由上述膜质检测领域除去导电膜的工程;介由上述闸极绝缘膜选择性将杂质导入上述半导体膜俾形成上述电晶体之源.汲极领域之同时,介由上述检测领域侧闸极绝缘膜将杂质导入上述膜质检测用半导体膜的工程;在上述闸极表面侧形成上述层间绝缘膜之同时,于上述检测领域侧在上述检测领域侧闸极绝缘膜表面侧形成上述检测领域侧层间绝缘膜的工程;及在上述层间绝缘膜形成相对上述电晶体之接触孔之同时,在上述膜质检测领域在上述检测领域侧层间绝缘膜及检测领域侧闸极绝缘膜形成上述开口部以使上述膜质检测用半导体膜露出的工程。17.一种主动矩阵基板之制造方法,系申请专利范围第4项之主动矩阵基板之制造方法,其特征为至少具有:依序形成上述电晶体使用之半导体膜及闸极绝缘膜之同时,对应上述膜质检测领域之领域依序形成上述膜质检测用半导体膜及检测领域侧闸极绝缘膜的工程;形成上述电晶体之闸极形成用导电膜后,对该导电膜施以图型化俾形成上述闸极之同时,由上述膜质检测领域除去导电膜的工程;介由上述闸极绝缘膜选择性将高浓度杂质及低浓度杂质导入上述半导体膜俾形成上述电晶体之上述低浓度源.汲极领域及高浓度源.汲极领域之同时,介由上述检测领域侧闸极绝缘膜将上述低浓度杂质或高浓度杂质之一方导入上述膜质检测用半导体膜的工程;在上述闸极表面侧形成上述层间绝缘膜之同时,于上述检测领域侧在上述检测领域侧闸极绝缘膜表面侧形成上述检测领域侧层间绝缘膜的工程;及在上述层间绝缘膜形成相对上述电晶体之接触孔之同时,在上述膜质检测领域在上述检测领域侧层间绝缘膜及检测领域侧闸极绝缘膜形成上述开口部以使上述膜质检测用半导体膜露出的工程。18.一种主动矩阵基板之制造方法,系申请专利范围第5项之主动矩阵基板之制造方法,其特征为至少具有:依序形成上述电晶体使用之半导体膜及闸极绝缘膜之同时,对应上述膜质检测领域之领域依序形成上述膜质检测用半导体膜及检测领域侧闸极绝缘膜的工程;形成上述电晶体之闸极形成用导电膜后,对该导电膜施以图型化俾形成上述闸极之同时,由上述膜质检测领域除去导电膜的工程;介由上述闸极绝缘膜选择性将高浓度杂质及低浓度杂质导入上述半导体膜俾形成上述电晶体之上述低浓度源.汲极领域及高浓度源.汲极领域之同时,介由上述检测领域侧闸极绝缘膜将上述低浓度杂质及高浓度杂质选择性导入上述膜质检测用半导体膜俾形成上述第1膜质检测用半导体膜及第2膜质检测用半导体膜的工程;在上述闸极表面侧形成上述层间绝缘膜之同时,于上述检测领域侧在上述检测领域侧闸极绝缘膜表面侧形成上述检测领域侧层间绝缘膜的工程;及在上述层间绝缘膜形成相对上述电晶体之接触孔之同时,在上述膜质检测领域在上述检测领域侧层间绝缘膜及检测领域侧闸极绝缘膜形成上述开口部以使上述膜质检测用半导体膜露出的工程。19.一种主动矩阵基板之制造方法,系申请专利范围第7项之主动矩阵基板之制造方法,其特征为至少具有:依序形成上述电晶体使用之半导体膜及闸极绝缘膜之同时,对应上述膜质检测领域之领域依序形成上述膜质检测用半导体膜及检测领域侧闸极绝缘膜的工程;形成上述电晶体之闸极形成用导电膜后,对该导电膜施以图型化俾形成上述闸极之同时,由上述膜质检测领域除去导电膜的工程;在以掩罩覆盖上述膜质检测用半导体膜之状态下,介由上述闸极绝缘膜选择性将杂质导入上述半导体膜俾形成上述电晶体之源.汲极领域的工程;及在上述层间绝缘膜形成相对上述电晶体之接触孔之同时,在上述膜质检测领域在上述检测领域侧层间绝缘膜及检测领域侧闸极绝缘膜形成上述开口部以使上述膜质检测用半导体膜露出的工程。20.一种主动矩阵基板之制造方法,系申请专利范围第9项之主动矩阵基板之制造方法,其特征为至少具有:形成上述电晶体之通道领域及闸极绝缘膜时,对应上述膜质检测领域之领域形成上述膜质检测用半导体膜及膜质检测用闸极绝缘膜的工程;形成上述电晶体之闸极之同时,在上述膜质检测领域亦同时形成导电膜的工程;介由特定掩罩导入杂质俾形成上述电晶体之源.汲极领域的工程;在上述闸极表面侧形成上述层间绝缘膜之同时,在上述检测领域侧在上述导电膜表面侧同时形成上述检测领域侧绝缘膜的工程;在上述层间绝缘膜形成对上述电晶体之接触孔之同时,于上述膜质检测领域同时形成开口部俾使上述导电膜露出的工程;及介由上述开口部蚀刻除去上述导电膜俾使上述膜质检测用闸极绝缘膜由上述开口部露出的工程。21.一种主动矩阵基板之制造方法,系申请专利范围第9项之主动矩阵基板之制造方法,其特征为至少具有:形成上述电晶体之通道领域及闸极绝缘膜时,对应上述膜质检测领域之领域形成上述膜质检测用半导体膜及膜质检测用闸极绝缘膜的工程;将上述扫描线及资料线之至少一方之配线间之电连接用之短路用配线,与上述闸极及扫描线同时形成之同时,于上述膜质检测领域亦同时形成导电膜的工程;介由特定掩罩导入杂质俾形成上述薄膜电晶体之源.汲极领域的工程;在上述闸极及扫描线之表面侧形成上述层间绝缘膜之同时,在上述检测领域侧在上述导电膜表面侧同时形成上述检测领域侧绝缘膜的工程;在上述层间绝缘膜同时形成使上述短路用配线之切断预定部分露出之切断用孔及对上述薄膜电晶体之接触孔之同时,于上述膜质检测领域同时形成开口部俾使上述导电膜露出的工程;及介由上述切断用孔使上述短路用配线于上述切断预定部分蚀刻切断之同时,介由上述开口部同时蚀刻除去上述导电膜俾使上述膜质检测用闸极绝缘膜由上述开口部露出的工程。图式简单说明:图1:本发明适用之光电装置由对向基板侧看之平面图。图2:沿图1之H一H′线切断之光电装置之断面图。图3:本发明实施形态1之光电装置使用之主动矩阵基板之方块图。图4:图3之主动矩阵基板之画素之等效电路图。图5(A)、(B):图3之主动矩阵基板上形成之画素TFT部、图1之膜质检测领域之C-C′线之断面图,以及其一部分之扩大断面图。图6(A)、(B)、(C)、(D)、(E)、(F):图5之主动矩阵基板之制造方法之工程断面图。图7(A)、(B)、(C)、(D)、(E):接续图6之工程进行之各工程之断面图。图8(A)、(B)、(C):接续图7之工程进行之各工程之断面图。图9:对本发明实施形态2之主动矩阵基板形成TFT之低浓度源.汲极领域之检测用膜质检测领域时之高浓度杂质工程之断面图。图10(A)、(B):对本发明实施形态3之主动矩阵基板,形成TFT之低浓度源.汲极领域及高浓度源.汲极领域双方之检测用膜质检测领域时之高浓度杂质工程之断面图,及使用该工程形成之膜质检测领域之断面图。图11:本发明实施形态4之主动矩阵基板中,相对TFT之通道领域之膜质检测领域之构成之断面图。图12:本发明实施形态5之主动矩阵基板中,多数位置上形成之膜质检测领域之构成之断面图。图13:本发明实施形态6之光电装置使用之主动矩阵基板之方块图。图14:图13之主动矩阵基板之影像显示领域之角部分之扩大平面图。图15(A)、(B):图13之主动矩阵基板中之沿图14之画素TFT部之A-A′线、沿图16之静电对策部之B-B′线、沿图1之膜质检测领域之C-C′线之断面图,以及该一部分之扩大断面图。图16:图13之主动矩阵基板中之信号配线及短路用配线之连接构造之平面图。图17:图13之主动矩阵基板中之静电保护电路之电路图。图18(A)、(B)、(C)、(D)、(E)、(F):图13之主动矩阵基板之制造方法之工程之断面图。图19(A)、(B)、(C)、(D)、(E):接续图18之工程进行之各工程之工程之断面图。图20(A)、(B)、(C):接续图19之工程进行之各工程之工程之断面图。图21:本发明适用之另一主动矩阵基板上形成之膜质检测领域之构成断面图。 |
