| 主权项 |
1.一种非破坏性预测金属矽化层之片电阻的方法,至少包括下列步骤:提供一半导体基底,该半导体基底中具有一预金属化矽区;以一折射率量测装置量测该预金属化矽区之一折射率;以及以该预金属化矽区之该折射率预测该预金属化矽区表面形成一金属矽化层后之一片电阻。2.如申请专利范围第1项之方法,其中半导体基底包括矽基底。3.如申请专利范围第1项之方法,其中该预金属化矽区包括闸极区。4.如申请专利范围第1项之方法,其中该预金属化矽区包括源极/汲极区。5.如申请专利范围第1项之方法,其中该折射率量测装置包括椭圆仪。6.如申请专利范围第1项之方法,其中该金属矽化层包括矽化钛层。7.如申请专利范围第1项之方法,其中该金属矽化层包括矽化钴层。图式简单说明:第1图为习知一种半导体电晶体之结构剖面示意图,绘示形成金属矽化层之区域;第2图为本发明预测金属矽化层之片电阻的流程图;第3图为本发明之一较佳实施例之结构示意图,绘示以折射率量测装置量测预金属化矽区之折射率;以及第4图为本发明之预金属化矽区之折射率跟金属矽化层之片电阻的关系图。 |
