| 主权项 |
1.一种静电放电保护结构之制造方法,包括下列步骤:提供一基底;执行第一离子布植制程,以于上述基底形成一第一第一导电型态井区,上述第一第一导电型态井区具有一静电放电区;于上述基底及静电放电区执行第二离子布植制程,藉以形成一第二第一导电型态井区及一静电放电保护元件;及分别于上述第一第一导电型态井区及第二第一导电型态井区形成第一闸极,第一源极,及与上述静电放电保护元件邻接之第一汲极,以及第二闸极,第二源极,以及第二汲极。2.如申请专利范围第1项所述之静电放电保护结构之制造方法,其中上述基底为矽基底。3.如申请专利范围第2项所述之静电放电保护结构之制造方法,其中上述第一第一导电型态井区及第二第一导电型态井区为P型井区。4.如申请专利范围第3项所述之静电放电保护结构之制造方法,其中上述第一离子布植制程及第二离子布植制程系掺杂硼离子。5.如申请专利范围第4项所述之静电放电保护结构之制造方法,其中上述静电放电保护元件之硼离子浓度系高于上述第一第一导电型态井区及第二第一导电型态井区之硼离子浓度。6.如申请专利范围第5项所述之静电放电保护结构之制造方法,其中上述静电放电保护元件之硼离子浓度系约略等于上述第一第一导电型态井区及第二第一导电型态井区之硼离子浓度总和。7.如申请专利范围第6项所述之静电放电保护结构之制造方法,其中上述静电放电保护元件之硼离子浓度约为1e17cm-3-9e18 cm-3。8.如申请专利范围第7项所述之静电放电保护结构之制造方法,其中上述第一第一导电型态井区之硼离子浓度约为1e16cm-3-5e18 cm-3。9.如申请专利范围第8项所述之静电放电保护结构之制造方法,其中上述第二第一导电型态井区之硼离子浓度约为1e16cm-3-5e18 cm-3。10.如申请专利范围第9项所述之静电放电保护结构之制造方法,其中上述第一离子布植制程之硼离子掺杂剂量约为1e12cm-3-6e13 cm-2。11.如申请专利范围第10项所述之静电放电保护结构之制造方法,其中上述第二离子布植制程之硼离子掺杂剂量约为1e12cm-3-6e13 cm-2。12.一种静电放电保护结构之制造方法,包括下列步骤:提供一基底;执行第一离子布植制程,以于上述基底形成一第一第一导电型态井区,上述第一第一导电型态井区中具有一静电放电区;于上述基底及静电放电区执行第二离子布植制程,藉以形成一第二第一导电型态井区及一静电放电保护元件;分别于上述第一第一导电型态井区及第二第一导电型态井区形成第一闸极,第一源极,以及与上述静电放电保护元件邻接之第一汲极,以及第二闸极,第二源极,以及第二汲极;形成分别对准上述第一闸极及第二闸极之侧壁绝缘间隔物;全面性形成一层间绝缘层以覆盖上述基底以及上述第一闸极及第二闸极;于上述层间绝缘层形成复数接触窗;及于上述接触窗沈积一金属层。13.如申请专利范围第12项所述之静电放电保护结构之制造方法,其中上述基底为矽基底。14.如申请专利范围第13项所述之静电放电保护结构之制造方法,其中上述第一第一导电型态井区及第二第一导电型态井区为P型井区。15.如申请专利范围第14项所述之静电放电保护结构之制造方法,其中上述第一离子布植制程及第二离子布植制程系掺杂硼离子。16.如申请专利范围第15项所述之静电放电保护结构之制造方法,其中上述静电放电保护元件之硼离子浓度系高于上述第一第一导电型态井区及第二第一导电型态井区之硼离子浓度。17.如申请专利范围第16项所述之静电放电保护结构之制造方法,其中上述静电放电保护元件之硼离子浓度系约略等于上述第一第一导电型态井区及第二第一导电型态井区之硼离子浓度总和。18.如申请专利范围第17项所述之静电放电保护结构之制造方法,其中上述静电放电保护元件之硼离子浓度约为1e17cm-3-9e18 cm-3。19.如申请专利范围第18项所述之静电放电保护结构之制造方法,其中上述第一第一导电型态井区之硼离子浓度约为1e16cm-3-5e18 cm-3。20.如申请专利范围第19项所述之静电放电保护结构之制造方法,其中上述第二第一导电型态井区之硼离子浓度约为1e16cm-3-5e18 cm-3。21.如申请专利范围第20项所述之静电放电保护结构之制造方法,其中上述第一离子布植制程之硼离子掺杂剂量约为1e12cm-3-6e13 cm-2。22.如申请专利范围第21项所述之静电放电保护结构之制造方法,其中上述第二离子布植制程之硼离子掺杂剂量约为1e12cm-3-6e13 cm-2。图式简单说明:第1图系显示传统具静电放电保护结构之内部电路元件示意图。第2图系显示第1图之传统静电放电保护结构之半导体剖面图。第3A图至第3C图系显示传统于半导体基底形成ESD装置之剖面图。第4A图系显示根据本发明实施例所述于半导体基底形成ESD装置之操作流程上视图。第4B图系显示根据本发明实施例所述于半导体基底形成ESD装置之操作流程剖面图。 |
